Детальная информация

Название: Гетероструктуры (Ca,Mg)F2 на кремнии для создания элементной базы двумерной наноэлектроники: выпускная квалификационная работа бакалавра: направление 16.03.01 «Техническая физика» ; образовательная программа 16.03.01_11 «Физика полупроводников и наноэлектроника»
Авторы: Иванов Илья Андреевич
Научный руководитель: Шалыгин Вадим Александрович
Другие авторы: Гаврикова Татьяна Андреевна
Организация: Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого. Институт физики, нанотехнологий и телекоммуникаций
Выходные сведения: Санкт-Петербург, 2021
Коллекция: Выпускные квалификационные работы; Общая коллекция
Тематика: молекулярно-лучевая эпитаксия (МЛЭ); сверхвысокий вакуум (СВВ); 3D дифракция быстрых электронов (ДБЭ) на отражение; атомно-силовая микроскопия (АСМ); двумерная электроника; эпитаксиальные диэлектрики; molecular beam epitaxy (MBE); ultrahigh vacuum (UHV); 3D reflection high-energy electron diffraction (RHEED); atomic force microscopy (AFM); two-dimensional electronics; epitaxial dielectrics
Тип документа: Выпускная квалификационная работа бакалавра
Тип файла: PDF
Язык: Русский
Уровень высшего образования: Бакалавриат
Код специальности ФГОС: 16.03.01
Группа специальностей ФГОС: 160000 - Физико-технические науки и технологии
Ссылки: Отзыв руководителя; Отчет о проверке на объем и корректность внешних заимствований
DOI: 10.18720/SPBPU/3/2021/vr/vr21-3687
Права доступа: Доступ по паролю из сети Интернет (чтение, печать, копирование)
Ключ записи: ru\spstu\vkr\12256

Разрешенные действия:

Действие 'Прочитать' будет доступно, если вы выполните вход в систему или будете работать с сайтом на компьютере в другой сети Действие 'Загрузить' будет доступно, если вы выполните вход в систему или будете работать с сайтом на компьютере в другой сети

Группа: Анонимные пользователи

Сеть: Интернет

Аннотация

Данная работа посвящена выращиванию методом МЛЭ тонких слоев твердого раствора MgxCa1-xF2 толщиной 12 нм с параметром смешивания x = 0, 0.05, 0.10, 0.15 на подложках Si(111) и исследованию их кристаллической структуры и топографии методами 3D ДБЭ и АСМ. Также был рассмотрен потенциал использования CaF2 совместно с MgF2 в двумерной наноэлектринике.

This work is devoted to the MBE growth of thin layers of the MgxCa1-xF2 solid solution 12 nm thick with the mixing parameter x = 0, 0.05, 0.10, 0.15 on Si (111) substrates and the study of their crystal structure and topography by the 3D RHEED and AFM methods. The potential of using CaF2 together with MgF2 in two- dimensional nanoelectrics was also considered.

Права на использование объекта хранения

Место доступа Группа пользователей Действие
Локальная сеть ИБК СПбПУ Все Прочитать Печать Загрузить
Внешние организации №2 Все Прочитать
Внешние организации №1 Все
Интернет Авторизованные пользователи СПбПУ Прочитать Печать Загрузить
Интернет Авторизованные пользователи (не СПбПУ, №2) Прочитать
Интернет Авторизованные пользователи (не СПбПУ, №1)
-> Интернет Анонимные пользователи

Статистика использования

stat Количество обращений: 5
За последние 30 дней: 0
Подробная статистика