?

Details
Table Card RUSMARC
Title: Влияние электрического поля на оптическую ориентацию электронов вблизи одиночного гетероперехода GaAs/AlGaAs: выпускная квалификационная работа магистра: направление 16.04.01 «Техническая физика» ; образовательная программа 16.04.01_01 «Физика и техника полупроводников»
Creators: Гилевич Артем Сергеевич
Scientific adviser: Фирсов Дмитрий Анатольевич
Other creators: Гаврикова Татьяна Андреевна
Organization: Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого. Институт физики, нанотехнологий и телекоммуникаций
Imprint: Санкт-Петербург, 2021
Collection: Выпускные квалификационные работы; Общая коллекция
Subjects: Электроны; Электрическое поле; H-полоса; одиночный гетеропереход; оптическая ориентация; эффект Ханле; спиновый обмен; H-band; single heterojunction; optical orientation; Hanle effect; spin exchange
UDC: 539.124
Document type: Master graduation qualification work
File type: PDF
Language: Russian
Level of education: Master
Speciality code (FGOS): 16.04.01
Speciality group (FGOS): 160000 - Физико-технические науки и технологии
Links: Отзыв руководителя; Рецензия; Отчет о проверке на объем и корректность внешних заимствований
DOI: 10.18720/SPBPU/3/2021/vr/vr21-3963
Rights: Доступ по паролю из сети Интернет (чтение, печать, копирование)
Record key: ru\spstu\vkr\12266

Allowed Actions: –

Action 'Read' will be available if you login or access site from another network Action 'Download' will be available if you login or access site from another network

Group: Anonymous

Network: Internet

Annotation

В спектрах ФЛ гетероперехода GaAs/AlGaAs выделена H-полоса, связанная с рекомбинацией носителей заряда вблизи гетероинтерфейса. Ее положение смещается в длинноволновую область при приложении запорного напряжения к структуре. Определено время спиновой памяти на H-полосе в зависимости от величины приложенного поперечного напряжения. Время жизни электрона и время его спиновой релаксации растет при увеличении запорного напряжения вследствие увеличения пространственного разделения электронов и дырок и уменьшения их обменного взаимодействия.

The H-band is distinguished in the spectra of the photoluminescence of the GaAs/AlGaAs heterojunction which is associated with carriers recombination near the heterointerface. The H-band position is shifted to long-wave region with applied reverse voltage. The spin memory time on the H-band is found as a function of the applied voltage. The electron spin relaxation time and life time rise with increasing voltage due to increasing electron and hole spatial separation and decreasing exchange interaction.

Document access rights

Network User group Action
ILC SPbPU Local Network All Read Print Download
Internet Authorized users SPbPU Read Print Download
-> Internet Anonymous

Table of Contents

  • ВВЕДЕНИЕ
  • ОБЗОР ЛИТЕРАТУРЫ
    • Гетеропереходы
    • Оптическая ориентация в GaAs
    • H-полоса фотолюминесценции одиночного GaAs/AlGaAs гетероперехода
  • ПОСТАНОВКА ЗАДАЧИ
  • МЕТОДИКА ЭКСПЕРИМЕНТА
    • Описание образца
    • Экспериментальная установка
  • РЕЗУЛЬТАТЫ И ИХ ОБСУЖДЕНИЕ
  • ЗАКЛЮЧЕНИЕ
  • СПИСОК ИСПОЛЬЗОВАННОЙ ЛИТЕРАТУРЫ

Usage statistics

stat Access count: 4
Last 30 days: 0
Detailed usage statistics