В данной работе описано моделирование падения молекул фуллерена С60 на чистую поверхность бездефектного монокристаллического кремния (100) методом молекулярной динамики в среде «LAMMPS». Составлена и разработана модель исследуемых структур кремния и фуллерена, выполнена оптимизация и ускорение процессов расчета, смоделированы случаи по начальным энергиям С60: 30 эВ, 100 эВ, 250 эВ, 1 кэВ, 2 кэВ. По результатам работы был проведен анализ конечной кристаллической структуры кремния методом Вороного-Дирихле, а также образовавшихся углеродных пленок и связей SiC (карбида кремния) на поверхности и внутри объема кристалла.

This work describes the simulation of the fall of C60 fullerene molecules onto a clean surface of defect-free monocrystalline silicon (100) by the molecular dynamics method in a LAMMPS. A model of the investigated structures of silicon and fullerene was compiled and developed, the optimization and acceleration of the calculation processes were performed, the cases were modeled for the initial energies of C60: 30 eV, 100 eV, 250 eV, 1 keV, 2 keV. Based on the results of the work, the final crystal structure of silicon was analyzed by the Voronoi-Dirichlet method, as well as the formed carbon films and SiC (silicon carbide) bonds on the surface and inside the volume of the crystal.