Table | Card | RUSMARC | |
Allowed Actions: –
Action 'Read' will be available if you login or access site from another network
Action 'Download' will be available if you login or access site from another network
Group: Anonymous Network: Internet |
Annotation
В рамках данной работы был разработана методика косвенного определения температуры ростовой поверхности в процессе молекулярно-пучковой эпитаксии. Детальны анализ температур реконструкционных переходов, исследованных при различных условиях МПЭ на поверхности GaAs in situ методом дифракции быстрых электронов на отражение, а также температур, определяемых с помощью термопары и ИК-пирометра, показывает, что разница между реальными (TS) и измеряемыми (TTC, TPIR) значениями температур для подложек GaAs(001) и GaAs(111)B может достигать ~100–120°С. В работе описывается набор реперных точек, которые могут быть использованы при создании калибровочных зависимостей TTC/TPIR и TS как функции мощности РТС нагревателя. Исследование реконструкционных переходов на поверхности полуизолирующей подложки GaAs(111)B позволило определить, что температура реконструкционного перехода между состояниями (2×2) и (√19×√19)R23.4° находится в диапазоне ТS = 540–550°С при динамическом режиме спуска температуры подложки со скоростью 15 °C/мин и потоке As РВЕР = 10-5 Па.
This thesis is devoted to developing of a method of the indirect temperature determination during the MBE growth. A detailed analysis of reconstruction transitions studied under various MBE conditions on the GaAs surface by reflection high-energy electron diffraction (RHEED) technique, as well as the MBE temperatures determined using a thermocouple and an IR pyrometer, shows that the difference between the real (TS) and measured (TTC, TPIR) temperature scan reach ~100–120°C for GaAs(001) and GaAs(111) B substrates. The developed method describes a set of reference points that can be used to create the calibration curves TTC/TPIR and TS as a function of the PTC heater power. The study of reconstruction transitions on the surface of a undoped GaAs(111)B substrate made it possible to determine that the temperature of the reconstruction transition between the (2×2) and (√19×√19)R23.4° states is in the range ТS = 540–550°С at the dynamic mode of decreasing the substrate temperature at a rate of 15°C/min and a As flux of РВЕР = 10-5 Pa.
Document access rights
Network | User group | Action | ||||
---|---|---|---|---|---|---|
ILC SPbPU Local Network | All |
![]() ![]() ![]() |
||||
External organizations N2 | All |
![]() |
||||
External organizations N1 | All | |||||
Internet | Authorized users SPbPU |
![]() ![]() ![]() |
||||
Internet | Authorized users (not from SPbPU, N2) |
![]() |
||||
Internet | Authorized users (not from SPbPU, N1) | |||||
![]() |
Internet | Anonymous |
Usage statistics
|
Access count: 12
Last 30 days: 0 Detailed usage statistics |