Details

Title Мониторинг поверхности GaAs как способ контроля температуры при молекулярно-пучковой эпитаксии: выпускная квалификационная работа бакалавра: направление 16.03.01 «Техническая физика» ; образовательная программа 16.03.01_11 «Физика полупроводников и наноэлектроника»
Creators Кузнецова Яна Андреевна
Scientific adviser Винниченко Максим Яковлевич
Other creators Гаврикова Татьяна Андреевна
Organization Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого. Институт физики, нанотехнологий и телекоммуникаций
Imprint Санкт-Петербург, 2021
Collection Выпускные квалификационные работы ; Общая коллекция
Subjects молекулярно-пучковая эпитаксия ; дифракция быстрых электронов ; GaAs ; термопара ; ИК-пирометр ; реконструкционные состояния ; реконструкционные переходы ; molecular beam epitaxy ; reflection high-energy electron diffraction ; thermocouple ; pyrometer ; reconstruction ; reconstruction modifications
Document type Bachelor graduation qualification work
File type PDF
Language Russian
Level of education Bachelor
Speciality code (FGOS) 16.03.01
Speciality group (FGOS) 160000 - Физико-технические науки и технологии
Links Отзыв руководителя ; Отчет о проверке на объем и корректность внешних заимствований
DOI 10.18720/SPBPU/3/2021/vr/vr21-4705
Rights Доступ по паролю из сети Интернет (чтение, печать, копирование)
Record key ru\spstu\vkr\12191
Record create date 7/2/2021

Allowed Actions

Action 'Download' will be available if administrator prepare required files

Group Anonymous
Network Internet

В рамках данной работы был разработана методика косвенного определения температуры ростовой поверхности в процессе молекулярно-пучковой эпитаксии. Детальны анализ температур реконструкционных переходов, исследованных при различных условиях МПЭ на поверхности GaAs in situ методом дифракции быстрых электронов на отражение, а также температур, определяемых с помощью термопары и ИК-пирометра, показывает, что разница между реальными (TS) и измеряемыми (TTC, TPIR) значениями температур для подложек GaAs(001) и GaAs(111)B может достигать ~100–120°С. В работе описывается набор реперных точек, которые могут быть использованы при создании калибровочных зависимостей TTC/TPIR и TS как функции мощности РТС нагревателя. Исследование реконструкционных переходов на поверхности полуизолирующей подложки GaAs(111)B позволило определить, что температура реконструкционного перехода между состояниями (2×2) и (√19×√19)R23.4° находится в диапазоне ТS = 540–550°С при динамическом режиме спуска температуры подложки со скоростью 15 °C/мин и потоке As РВЕР = 10-5 Па.

This thesis is devoted to developing of a method of the indirect temperature determination during the MBE growth. A detailed analysis of reconstruction transitions studied under various MBE conditions on the GaAs surface by reflection high-energy electron diffraction (RHEED) technique, as well as the MBE temperatures determined using a thermocouple and an IR pyrometer, shows that the difference between the real (TS) and measured (TTC, TPIR) temperature scan reach ~100–120°C for GaAs(001) and GaAs(111) B substrates. The developed method describes a set of reference points that can be used to create the calibration curves TTC/TPIR and TS as a function of the PTC heater power. The study of reconstruction transitions on the surface of a undoped GaAs(111)B substrate made it possible to determine that the temperature of the reconstruction transition between the (2×2) and (√19×√19)R23.4° states is in the range ТS = 540–550°С at the dynamic mode of decreasing the substrate temperature at a rate of 15°C/min and a As flux of РВЕР = 10-5 Pa.

Network User group Action
ILC SPbPU Local Network All
Internet Authorized users SPbPU
Internet Anonymous

Access count: 23 
Last 30 days: 1

Detailed usage statistics