Details

Title: Мониторинг поверхности GaAs как способ контроля температуры при молекулярно-пучковой эпитаксии: выпускная квалификационная работа бакалавра: направление 16.03.01 «Техническая физика» ; образовательная программа 16.03.01_11 «Физика полупроводников и наноэлектроника»
Creators: Кузнецова Яна Андреевна
Scientific adviser: Винниченко Максим Яковлевич
Other creators: Гаврикова Татьяна Андреевна
Organization: Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого. Институт физики, нанотехнологий и телекоммуникаций
Imprint: Санкт-Петербург, 2021
Collection: Выпускные квалификационные работы; Общая коллекция
Subjects: молекулярно-пучковая эпитаксия; дифракция быстрых электронов; GaAs; термопара; ИК-пирометр; реконструкционные состояния; реконструкционные переходы; molecular beam epitaxy; reflection high-energy electron diffraction; thermocouple; pyrometer; reconstruction; reconstruction modifications
Document type: Bachelor graduation qualification work
File type: PDF
Language: Russian
Level of education: Bachelor
Speciality code (FGOS): 16.03.01
Speciality group (FGOS): 160000 - Физико-технические науки и технологии
Links: Отзыв руководителя; Отчет о проверке на объем и корректность внешних заимствований
DOI: 10.18720/SPBPU/3/2021/vr/vr21-4705
Rights: Доступ по паролю из сети Интернет (чтение, печать, копирование)
Record key: ru\spstu\vkr\12191

Allowed Actions:

Action 'Read' will be available if you login or access site from another network Action 'Download' will be available if you login or access site from another network

Group: Anonymous

Network: Internet

Annotation

В рамках данной работы был разработана методика косвенного определения температуры ростовой поверхности в процессе молекулярно-пучковой эпитаксии. Детальны анализ температур реконструкционных переходов, исследованных при различных условиях МПЭ на поверхности GaAs in situ методом дифракции быстрых электронов на отражение, а также температур, определяемых с помощью термопары и ИК-пирометра, показывает, что разница между реальными (TS) и измеряемыми (TTC, TPIR) значениями температур для подложек GaAs(001) и GaAs(111)B может достигать ~100–120°С. В работе описывается набор реперных точек, которые могут быть использованы при создании калибровочных зависимостей TTC/TPIR и TS как функции мощности РТС нагревателя. Исследование реконструкционных переходов на поверхности полуизолирующей подложки GaAs(111)B позволило определить, что температура реконструкционного перехода между состояниями (2×2) и (√19×√19)R23.4° находится в диапазоне ТS = 540–550°С при динамическом режиме спуска температуры подложки со скоростью 15 °C/мин и потоке As РВЕР = 10-5 Па.

This thesis is devoted to developing of a method of the indirect temperature determination during the MBE growth. A detailed analysis of reconstruction transitions studied under various MBE conditions on the GaAs surface by reflection high-energy electron diffraction (RHEED) technique, as well as the MBE temperatures determined using a thermocouple and an IR pyrometer, shows that the difference between the real (TS) and measured (TTC, TPIR) temperature scan reach ~100–120°C for GaAs(001) and GaAs(111) B substrates. The developed method describes a set of reference points that can be used to create the calibration curves TTC/TPIR and TS as a function of the PTC heater power. The study of reconstruction transitions on the surface of a undoped GaAs(111)B substrate made it possible to determine that the temperature of the reconstruction transition between the (2×2) and (√19×√19)R23.4° states is in the range ТS = 540–550°С at the dynamic mode of decreasing the substrate temperature at a rate of 15°C/min and a As flux of РВЕР = 10-5 Pa.

Document access rights

Network User group Action
ILC SPbPU Local Network All Read Print Download
External organizations N2 All Read
External organizations N1 All
Internet Authorized users SPbPU Read Print Download
Internet Authorized users (not from SPbPU, N2) Read
Internet Authorized users (not from SPbPU, N1)
-> Internet Anonymous

Usage statistics

stat Access count: 12
Last 30 days: 0
Detailed usage statistics