Details
Title | Мониторинг поверхности GaAs как способ контроля температуры при молекулярно-пучковой эпитаксии: выпускная квалификационная работа бакалавра: направление 16.03.01 «Техническая физика» ; образовательная программа 16.03.01_11 «Физика полупроводников и наноэлектроника» |
---|---|
Creators | Кузнецова Яна Андреевна |
Scientific adviser | Винниченко Максим Яковлевич |
Other creators | Гаврикова Татьяна Андреевна |
Organization | Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого. Институт физики, нанотехнологий и телекоммуникаций |
Imprint | Санкт-Петербург, 2021 |
Collection | Выпускные квалификационные работы; Общая коллекция |
Subjects | молекулярно-пучковая эпитаксия; дифракция быстрых электронов; GaAs; термопара; ИК-пирометр; реконструкционные состояния; реконструкционные переходы; molecular beam epitaxy; reflection high-energy electron diffraction; thermocouple; pyrometer; reconstruction; reconstruction modifications |
Document type | Bachelor graduation qualification work |
File type | |
Language | Russian |
Level of education | Bachelor |
Speciality code (FGOS) | 16.03.01 |
Speciality group (FGOS) | 160000 - Физико-технические науки и технологии |
Links | Отзыв руководителя; Отчет о проверке на объем и корректность внешних заимствований |
DOI | 10.18720/SPBPU/3/2021/vr/vr21-4705 |
Rights | Доступ по паролю из сети Интернет (чтение, печать, копирование) |
Record key | ru\spstu\vkr\12191 |
Record create date | 7/2/2021 |
Allowed Actions
–
Action 'Read' will be available if you login or access site from another network
Action 'Download' will be available if you login or access site from another network
Group | Anonymous |
---|---|
Network | Internet |
В рамках данной работы был разработана методика косвенного определения температуры ростовой поверхности в процессе молекулярно-пучковой эпитаксии. Детальны анализ температур реконструкционных переходов, исследованных при различных условиях МПЭ на поверхности GaAs in situ методом дифракции быстрых электронов на отражение, а также температур, определяемых с помощью термопары и ИК-пирометра, показывает, что разница между реальными (TS) и измеряемыми (TTC, TPIR) значениями температур для подложек GaAs(001) и GaAs(111)B может достигать ~100–120°С. В работе описывается набор реперных точек, которые могут быть использованы при создании калибровочных зависимостей TTC/TPIR и TS как функции мощности РТС нагревателя. Исследование реконструкционных переходов на поверхности полуизолирующей подложки GaAs(111)B позволило определить, что температура реконструкционного перехода между состояниями (2×2) и (√19×√19)R23.4° находится в диапазоне ТS = 540–550°С при динамическом режиме спуска температуры подложки со скоростью 15 °C/мин и потоке As РВЕР = 10-5 Па.
This thesis is devoted to developing of a method of the indirect temperature determination during the MBE growth. A detailed analysis of reconstruction transitions studied under various MBE conditions on the GaAs surface by reflection high-energy electron diffraction (RHEED) technique, as well as the MBE temperatures determined using a thermocouple and an IR pyrometer, shows that the difference between the real (TS) and measured (TTC, TPIR) temperature scan reach ~100–120°C for GaAs(001) and GaAs(111) B substrates. The developed method describes a set of reference points that can be used to create the calibration curves TTC/TPIR and TS as a function of the PTC heater power. The study of reconstruction transitions on the surface of a undoped GaAs(111)B substrate made it possible to determine that the temperature of the reconstruction transition between the (2×2) and (√19×√19)R23.4° states is in the range ТS = 540–550°С at the dynamic mode of decreasing the substrate temperature at a rate of 15°C/min and a As flux of РВЕР = 10-5 Pa.
Network | User group | Action |
---|---|---|
ILC SPbPU Local Network | All |
|
Internet | Authorized users SPbPU |
|
Internet | Anonymous |
|
Access count: 21
Last 30 days: 0