Ефимов, Иннокентий Сергеевич. Исследование дисковых микролазеров на подложке кремния с InGaN/GaN квантовыми ямами в активной области: выпускная квалификационная работа бакалавра: направление 03.03.02 «Физика» ; образовательная программа 03.03.02_08 «Квантовые наноструктуры и материалы» = Study of disk microlasers on a silicon substrate with InGaN/GaN quantum wells in the active region with a cavity supporting optical whispering gallery modes / И. С. Ефимов; Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого, Физико-механический институт; научный руководитель А. Е. Жуков. — Санкт-Петербург, 2025. — 1 файл (1,4 Мб). — Загл. с титул. экрана. — Доступ по паролю из сети Интернет (чтение, печать, копирование). — Adobe Acrobat Reader 7.0. — <URL:http://elib.spbstu.ru/dl/3/2025/vr/vr25-3229.pdf>. — DOI 10.18720/SPBPU/3/2025/vr/vr25-3229. — Текст: электронный
| Period | Read | Copy | Open | Total | ||
|---|---|---|---|---|---|---|
| Total | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | |