Details

Объект исследования – кремниевые структуры, формируемые с помощью травления методом Bosch-процесса. Цель работы – оптимизация скорости и однородности травления кремния. В результате исследования установлено влияние параметров процесса травления на скорость, однородность, селективность по отношению к фоторезисту, профиль травления и появление дефектов поверхности. Показано, что увеличение доли травления без смещения способствует снижению растрава маски, избавлению от дефектов поверхности. Варьирование мощности на RIE-генераторе оказывает влияние на селективность, однородность и скорость травления. По итогам эксперимента и анализа результатов были подобраны оптимальные параметры для травления кремния на глубину 20 мкм. Таким образом, результаты работы могут быть использованы при создании устройств микросистемной техники, а также при разработке рецептов процесса глубокого анизотропного травления кремния в диапазоне глубин до 20 мкм. Проведен поиск информации в глобальных компьютерных сетях Google Scholar.

Object of the study – silicon structures formed using the Bosch deep reactive ion etching process. Aim of the research – optimization of etching rate and uniformity in silicon etching. As a result of the study, the influence of process parameters on the etching rate, uniformity, and selectivity with respect to the photoresist, trench profile, and surface defect formation was established. It was shown that increasing the proportion of the etching step without applying bias contributes to reduced mask erosion and elimination of surface defects. Varying the RIE-generator power was found to affect selectivity, uniformity, and the etch rate. Based on experimental results and analysis, optimal process parameters were selected for etching silicon to a depth of 20 µm. Thus, the results of this work can be used in the development of microsystem technology devices, as well as in the formulation of recipes for the deep anisotropic silicon etching process in the depth range up to 20 µm. Information was searched in the global computer networks Google Scholar.