Детальная информация
| Название | Оптический журнал: научно-технический журнал. — № 2. – 2024. |
|---|---|
| Выходные сведения | 2024 |
| Коллекция | Общая коллекция |
| Тип документа | Другой |
| Тип файла | Другой |
| Язык | Русский |
| Права доступа | Доступ по паролю из сети Интернет (чтение) |
| Ключ записи | RU\SPSTU\edoc\74339 |
| Дата создания записи | 25.10.2024 |
- Латышев, А. В. — Предисловие выпускающих редакторов = Foreword by the issuing editors / А. В. Латышев, М. В. Якушев. — 1 файл. — (Фотоника). — DOI 10.17586/1023-5086-2024-91-02-3-5. — Текст: электронный // Оптический журнал = Journal of optical technology: научно-технический журнал / Государственный оптический институт им. С. И. Вавилова, Санкт-Петербургский национальный исследовательский университет информационных технологий, механики и оптики. – 2024. – № 2. — С. 3-5. — Загл. с титул. экрана. — Доступ по паролю из сети Интернет (чтение). — <URL:https://eivis.ru/browse/issue/13195682/viewer?udb=12&page=6>.
- Униполярные барьерные структуры на основе n-HgCdTe со сверхрешётками в качестве барьера: обзор = Unipolar barrier structures based on n-HgCdTe with superlattices as a barrier / А. В. Войцеховский, С. М. Дзядух, Д. И. Горн [и др.]. — 1 файл. — (Физика полупроводников и элементы оптоэлектроники). — DOI 10.17586/1023-5086-2024-91-02-6-22. — Текст: электронный // Оптический журнал = Journal of optical technology: научно-технический журнал / Государственный оптический институт им. С. И. Вавилова, Санкт-Петербургский национальный исследовательский университет информационных технологий, механики и оптики. – 2024. – № 2. — С. 6-22. — Загл. с титул. экрана. — Статья, представленная на 8-ой Российской конференции и школе молодых учёных "Фотоника-2023". — Доступ по паролю из сети Интернет (чтение). — <URL:https://eivis.ru/browse/issue/13195682/viewer?udb=12&page=9>.
- Оптические свойства и разупорядочение плёнок HgCdTe, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии = Optical properties and disorder of HgCdTe films grown by molecular beam epitax / М. С. Ружевич, К. Д. Мынбаев, Н. Л. Баженов [и др.]. — 1 файл. — (Физика полупроводников и элементы оптоэлектроники). — DOI 10.17586/1023-5086-2024-91-02-23-33. — Текст: электронный // Оптический журнал = Journal of optical technology: научно-технический журнал / Государственный оптический институт им. С. И. Вавилова, Санкт-Петербургский национальный исследовательский университет информационных технологий, механики и оптики. – 2024. – № 2. — С. 23-33. — Загл. с титул. экрана. — Статья, представленная на 8-ой Российской конференции и школе молодых учёных "Фотоника-2023". — Доступ по паролю из сети Интернет (чтение). — <URL:https://eivis.ru/browse/issue/13195682/viewer?udb=12&page=26>.
- Влияние условий формирования и отжига на параметры Pt/InAlAs барьеров Шоттки = Influence of formation conditions and annealing on the parameters of Pt/InAlAs Schottky barriers / И. Ю. Гензе, М. С. Аксенов, М. А. Парамонова [и др.]. — 1 файл. — (Физика полупроводников и элементы оптоэлектроники). — DOI 10.17586/1023-5086-2024-91-02-34-39. — Текст: электронный // Оптический журнал = Journal of optical technology: научно-технический журнал / Государственный оптический институт им. С. И. Вавилова, Санкт-Петербургский национальный исследовательский университет информационных технологий, механики и оптики. – 2024. – № 2. — С. 34-39. — Загл. с титул. экрана. — Статья, представленная на 8-ой Российской конференции и школе молодых учёных "Фотоника-2023". — Доступ по паролю из сети Интернет (чтение). — <URL:https://eivis.ru/browse/issue/13195682/viewer?udb=12&page=37>.
- Легирование Zn эпитаксиальных слоёв InAlAs и InP из планарного источника Zn[3]P[2] = Zn doping of InAlAs and InP epitaxial layers from a planar Zn[3]P[2] source / М. О. Петрушков, М. С. Аксенов, Д. Б. Богомолов [и др.]. — 1 файл. — (Физика полупроводников и элементы оптоэлектроники). — DOI 10.17586/1023-5086-2024-91-02-40-49. — Текст: электронный // Оптический журнал = Journal of optical technology: научно-технический журнал / Государственный оптический институт им. С. И. Вавилова, Санкт-Петербургский национальный исследовательский университет информационных технологий, механики и оптики. – 2024. – № 2. — С. 40-49. — Загл. с титул. экрана. — Статья, представленная на 8-ой Российской конференции и школе молодых учёных "Фотоника-2023". — Доступ по паролю из сети Интернет (чтение). — <URL:https://eivis.ru/browse/issue/13195682/viewer?udb=12&page=43>.
- Анализ морфологии поверхности буферных слоёв CdTe с помощью эллипсометрии и интерференционной профилометрии для создания методики контроля роста буферных слоёв = Surface morphology analysis of CdTe buffer layers using ellipsometry and interference profilometry to create a technique for monitoring the growth of buffer layers / В. А. Швец, Д. В. Марин, Л. С. Кузнецова [и др.]. — 1 файл. — (Физика полупроводников и элементы оптоэлектроники). — DOI 10.17586/1023-5086-2024-91-02-50-58. — Текст: электронный // Оптический журнал = Journal of optical technology: научно-технический журнал / Государственный оптический институт им. С. И. Вавилова, Санкт-Петербургский национальный исследовательский университет информационных технологий, механики и оптики. – 2024. – № 2. — С. 50-58. — Загл. с титул. экрана. — Статья, представленная на 8-ой Российской конференции и школе молодых учёных "Фотоника-2023". — Доступ по паролю из сети Интернет (чтение). — <URL:https://eivis.ru/browse/issue/13195682/viewer?udb=12&page=53>.
- Стучинский, В. А. — Частотно-контрастная характеристика и эффективная длина диффузии фотогенерированных носителей заряда в фотоприёмных матрицах на основе материала кадмий-ртуть-теллур с разными значениями геометрических параметров = Modulation transfer function and effective diffusion length of photogenerated charge carriers in mercury-cadmium-telluride focal-plane diode arrays with different values of geometric parameters / В. А. Стучинский, А. В. Вишняков, В. В. Васильев. — 1 файл. — (Физика полупроводников и элементы оптоэлектроники). — DOI 10.17586/1023-5086-2024-91-02-59-66. — Текст: электронный // Оптический журнал = Journal of optical technology: научно-технический журнал / Государственный оптический институт им. С. И. Вавилова, Санкт-Петербургский национальный исследовательский университет информационных технологий, механики и оптики. – 2024. – № 2. — С. 59-66. — Загл. с титул. экрана. — Статья, представленная на 8-ой Российской конференции и школе молодых учёных "Фотоника-2023". — Доступ по паролю из сети Интернет (чтение). — <URL:https://eivis.ru/browse/issue/13195682/viewer?udb=12&page=62>.
- Влияние охранных сеточных диодов с плавающим потенциалом n-области на пространственное разрешение n-на-p линейных HgCdTe-фотоприёмников = The influence of grid guard diodes with a floating n-region potential on the spatial resolution of n-on-p linear HgCdTe photodetectors / В. В. Васильев, А. В. Вишняков, И. В. Сабинина [и др.]. — 1 файл. — (Физика полупроводников и элементы оптоэлектроники). — DOI 10.17586/1023-5086-2024-91-02-67-75. — Текст: электронный // Оптический журнал = Journal of optical technology: научно-технический журнал / Государственный оптический институт им. С. И. Вавилова, Санкт-Петербургский национальный исследовательский университет информационных технологий, механики и оптики. – 2024. – № 2. — С. 67-75. — Загл. с титул. экрана. — Статья, представленная на 8-ой Российской конференции и школе молодых учёных "Фотоника-2023". — Доступ по паролю из сети Интернет (чтение). — <URL:https://eivis.ru/browse/issue/13195682/viewer?udb=12&page=70>.
- Рост и характеризация nBn-структур на основе СdхHg[1-х]Te для фотоприёмников спектрального диапазона 3-5 мкм = Growth and characterization of nBn structures based on CdxHg[1-x]Te for photodetectors in the 3-5 mum spectral range / Н. Н. Михайлов, В. С. Варавин, С. А. Дворецкий [и др.]. — 1 файл. — (Физика полупроводников и элементы оптоэлектроники). — DOI 10.17586/1023-5086-2024-91-02-76-87. — Текст: электронный // Оптический журнал = Journal of optical technology: научно-технический журнал / Государственный оптический институт им. С. И. Вавилова, Санкт-Петербургский национальный исследовательский университет информационных технологий, механики и оптики. – 2024. – № 2. — С. 76-87. — Загл. с титул. экрана. — Статья, представленная на 8-ой Российской конференции и школе молодых учёных "Фотоника-2023". — Доступ по паролю из сети Интернет (чтение). — <URL:https://eivis.ru/browse/issue/13195682/viewer?udb=12&page=79>.
- Исследование влияния кристаллического совершенства на величину напряжений в структурах (013)HgCdTe/CdTe/ZnTe/GaAs с помощью генерации второй гармоники на основе фазового синхронизма = Investigation of the influence of crystal perfection on the magnitude of stresses in (013)HgCdTe/CdTe/ZnTe/GaAs structures using second harmonic generation based on phase synchronism / М. Ф. Ступак, С. А. Дворецкий, Н. Н. Михайлов [и др.]. — 1 файл. — (Физика полупроводников и элементы оптоэлектроники). — DOI 10.17586/1023-5086-2024-91-02-88-98. — Текст: электронный // Оптический журнал = Journal of optical technology: научно-технический журнал / Государственный оптический институт им. С. И. Вавилова, Санкт-Петербургский национальный исследовательский университет информационных технологий, механики и оптики. – 2024. – № 2. — С. 88-98. — Загл. с титул. экрана. — Статья, представленная на 8-ой Российской конференции и школе молодых учёных "Фотоника-2023". — Доступ по паролю из сети Интернет (чтение). — <URL:https://eivis.ru/browse/issue/13195682/viewer?udb=12&page=91>.
- Выбор режимов одностадийной высокопроизводительной печати серебряных проводящих дорожек на поверхности кремния методом лазерного переноса = Selection of regimes for one-step high-throughput laser printing of silver conducting lines on silicon by forward laser transfer / А. А. Настулявичус, С. И. Кудряшов, Н. А. Смирнов [и др.]. — 1 файл. — (Физика полупроводников и элементы оптоэлектроники). — DOI 10.17586/1023-5086-2024-91-02-99-111. — Текст: электронный // Оптический журнал = Journal of optical technology: научно-технический журнал / Государственный оптический институт им. С. И. Вавилова, Санкт-Петербургский национальный исследовательский университет информационных технологий, механики и оптики. – 2024. – № 2. — С. 99-111. — Загл. с титул. экрана. — Статья, представленная на 8-ой Российской конференции и школе молодых учёных "Фотоника-2023". — Доступ по паролю из сети Интернет (чтение). — <URL:https://eivis.ru/browse/issue/13195682/viewer?udb=12&page=102>.
- Генерация второй гармоники c эффектом активации в гибкой мембране с кремниевыми нитевидными нанокристаллами = Second harmonic generation with activation effect in a flexible membrane with silicon filamentary nanocrystals / В. А. Масталиева, В. В. Неплох, А. В. Айбуш [и др.]. — 1 файл. — (Фотоника, нанофотоника и радиофотоника). — DOI 10.17586/1023-5086-2024-91-02-112-121. — Текст: электронный // Оптический журнал = Journal of optical technology: научно-технический журнал / Государственный оптический институт им. С. И. Вавилова, Санкт-Петербургский национальный исследовательский университет информационных технологий, механики и оптики. – 2024. – № 2. — С. 112-121. — Загл. с титул. экрана. — Статья, представленная на 8-ой Российской конференции и школе молодых учёных "Фотоника-2023". — Доступ по паролю из сети Интернет (чтение). — <URL:https://eivis.ru/browse/issue/13195682/viewer?udb=12&page=115>.
- Исследования уровня внутреннего фона инфракрасного излучения на фотоприёмнике в криостате = Studies of the level of the internal background of infrared radiation on a photodetector in a cryostat / П. А. Алдохин, А. Р. Новоселов, С. В. Хрящёв [и др.]. — 1 файл. — (Фотоника, нанофотоника и радиофотоника). — DOI 10.17586/1023-5086-2024-91-02-122-130. — Текст: электронный // Оптический журнал = Journal of optical technology: научно-технический журнал / Государственный оптический институт им. С. И. Вавилова, Санкт-Петербургский национальный исследовательский университет информационных технологий, механики и оптики. – 2024. – № 2. — С. 122-130. — Загл. с титул. экрана. — Статья, представленная на 8-ой Российской конференции и школе молодых учёных "Фотоника-2023". — Доступ по паролю из сети Интернет (чтение). — <URL:https://eivis.ru/browse/issue/13195682/viewer?udb=12&page=125>.
Количество обращений: 15
За последние 30 дней: 1
