Table | Card | RUSMARC | |
Allowed Actions: View |
Annotation
В последнее время обнаружено наличие сегнетоэлектрических свойств наноразмерных пленок на основе оксида гафния. Такие пленки представляют большой интерес для разработки универсальной памяти, которая сочетает преимущества оперативной и флэш-памяти. В работе изучаются оптические свойства пленок оксида гафния-циркония Hf[x]Zr[y]O[2] и пленок оксида гафния-циркония, легированных лантаном, La : Hf[x]Zr[y]O[2]. Флуктуации толщины пленок Hf[x]Zr[y]O[2] не превышают 3.5%, флуктуации толщины пленок La : Hf[x]Zr[y]O[2] - 3.2%. Оптические свойства анализируются на основе теории эффективной среды. По данным теории эффективной среды пленки Hf[x]Zr[y]O[2] содержат 46% HfO[2], 54% ZrO[2], пленки La : Hf[x]Zr[y]O[2] содержат 47.5% HfO[2], 52.4% ZrO[2], 2.5% La[2]O[3].
Included in
Usage statistics
|
Access count: 41
Last 30 days: 7 Detailed usage statistics |