Details

Title: Электрические флуктуации и двухзарядные ловушки в полупроводниках // Инженерная физика. – 2022. – № 12. — С. 33-38
Creators: Якубович Б. И.
Imprint: 2022
Collection: Общая коллекция
Subjects: Физика; Физика полупроводников и диэлектриков; полупроводники; двухзарядные ловушки (физика); электрические флуктуации; полупроводниковые дефекты; спектры флуктуаций; электрические шумы; полупроводниковые приборы; semiconductors; two-charge traps (physics); electrical fluctuations; semiconductor defects; fluctuation spectra; electrical noise; semiconductor devices
UDC: 537.311.33
LBC: 22.379
Document type: Article, report
File type: Other
Language: Russian
DOI: 10.25791/infizik.12.2022.1304
Rights: Доступ по паролю из сети Интернет (чтение)
Additionally: New arrival
Record key: RU\SPSTU\edoc\69589

Allowed Actions: View

Annotation

Рассматриваются электрические флуктуации в полупроводниках, вызванные захватом и эмиссией носителей заряда двухзарядными ловушками, образованными дефектами структуры. Проанализированы электрические флуктуации в полупроводниках, вызванные двухзарядными ловушками, и дано их количественное описание. Вычислено выражение общего вида для спектра флуктуаций. Оно описывает флуктуации, вызванные двухзарядными ловушками, образованными дефектами структуры различных типов, и применимо для полупроводников различных типов. Полученные результаты развивают представления об электрических флуктуациях в полупроводниках, связанных с дефектами, и позволяют дать более полное описание электрических шумов, вызванных ловушками. Они могут быть использованы для анализа флуктуаций в полупроводниках и для определения спектральных характеристик флуктуаций. В прикладных целях полученные результаты могут быть применены для снижения шума полупроводниковых приборов и улучшения качества их работы и для неразрушающего контроля и прогнозирования надежности полупроводниковых приборов.

Electrical uctuations in semiconductors caused by capture and emission of charge carriers by doubly-charged traps formed by structural defects are considered. Electric uctuations in semiconductors caused by doubly-charged traps are analyzed and their quantitative description is given. A general form expression is calculated for spectrum of uctuations. It describes uctuations caused by doubly-charged traps formed by structural defects of various types and is applicable to various types of semiconductors. The results obtained develop concept of electrical uctuations in semiconductors associated with defects and allow to give a more complete description of electrical noises caused by traps. They can be used to analyze uctuations in semiconductors and to determine spectral characteristics of uctuations. For applied purposes, the results obtained can be used to reduce noise of semiconductor devices and improve quality of their operation and for non-destructive testing and predicting reliability of semiconductor devices.

Usage statistics

stat Access count: 5
Last 30 days: 2
Detailed usage statistics