Electronic Documents Search

Documents found: 64

Contribution of internal ionization processes in semiconductors to radiative losses of relativistic electrons // Научно-технические ведомости Санкт-Петербургского государственного политехнического университета. Сер.: Физико-математические науки. – 2020. – Т. 13, № 3. — С. 7-14

Creators	Vasiliev A. E.; Kozlovski V. V.; Kolgatin S. N.
Imprint	2020
Collection	Общая коллекция
Subjects	Радиоэлектроника; Полупроводниковые приборы; semiconductors; ionization of semiconductors; internal ionization of semiconductors; braking energy loss; relativistic electrons; electron accelerators; electron-hole pairs; полупроводники; ионизация полупроводников; внутренняя ионизация полупроводников; тормозные потери энергии; релятивистские электроны; ускорители электронов; электронно-дырочные пары
UDC	621.382
LBC	32.852
Document type	Article, report
File type	PDF
Language	English
DOI	10.18721/JPM.13301
Rights	Свободный доступ из сети Интернет (чтение, печать, копирование)

pdf, 322 Kb

Методики определения концентрации и подвижности в слоях областей пространственного заряда // Известия высших учебных заведений. Электроника: научно-технический журнал. – 2023. – Т. 28, № 2. — С. 232-243

Creators	Карамышев В. П.
Imprint	2023
Collection	Общая коллекция
Subjects	Радиоэлектроника; Полупроводниковые приборы; пространственные заряды (радиоэлектроника); области пространственных зарядов; вольт-фарадные характеристики; вольт-сименсные характеристики; тонкие слои полупроводников; профиль распределения концентрации зарядов; профиль распределения подвижности зарядов; spatial charges (radio electronics); areas of spatial charges; charge concentration distribution profile; volt-farad characteristics; volt-siemens characteristics; thin layers of semiconductors; charge mobility distribution profile
UDC	621.382
LBC	32.852
Document type	Article, report
File type	Other
Language	Russian
DOI	10.24151/1561-5405-2023-28-2-232-243
Rights	Доступ по паролю из сети Интернет (чтение)

https://elibrary.ru/item.asp?id=50767481

Методика идентификации параметров Spice-моделей КМОП-микросхем по температурным зависимостям их динамических характеристик // Известия высших учебных заведений. Электроника: научно-технический журнал. – 2023. – Т. 28, № 2. — С. 212-221

Creators	Шумарин С. В.; Фролова Т. Н.; Богачев А. М.
Imprint	2023
Collection	Общая коллекция
Subjects	Радиоэлектроника; Полупроводниковые приборы; КМОП-микросхемы; Spice-модели; параметры Spice-моделей; методика идентификации параметров; температурные зависимости; динамические характеристики; интегральные схемы; CMOS chips; Spice models; parameters of Spice models; method of parameter identification; temperature dependences; dynamic characteristics; integrated circuits
UDC	621.382
LBC	32.852
Document type	Article, report
File type	Other
Language	Russian
DOI	10.24151/1561-5405-2023-28-2-212-221
Rights	Доступ по паролю из сети Интернет (чтение)

https://elibrary.ru/item.asp?id=50767479

Фрактальные свойства лавинного пробоя светодиода // Научно-технические ведомости Санкт-Петербургского государственного политехнического университета. Сер.: Физико-математические науки: научное издание. – 2016. – № 4 (253)

Creators	Шашкина Антонина Сергеевна; Кривошейкин Анатолий Валентинович; Скворцов Николай Николаевич; Воротков Михаил Владимирович
Imprint	Санкт-Петербург: Изд-во Политехн. ун-та, 2016
Collection	Общая коллекция
Subjects	Радиоэлектроника; Полупроводниковые приборы; светодиоды; лавинные пробои (физика); фрактальные свойства; микроплазма; фракталы; p-n-переходы; микроплазменные шумы; электронные компоненты; электрические пробои
UDC	621.382
LBC	32.852
Document type	Article, report
File type	PDF
Language	Russian
DOI	10.5862/JPM.253.8
Rights	Свободный доступ из сети Интернет (чтение, печать, копирование)

pdf, 1.3 Mb

Модификация SPICE-моделей КМОП-микросхем для имитации частотного отклика кольцевого генератора на низкоинтенсивное ионизирующее облучение // Известия высших учебных заведений. Электроника. – 2024. – Т. 29, № 4. — С. 514-524

Creators	Шумарин С. В.; Фролова Т. Н.
Imprint	2024
Collection	Общая коллекция
Subjects	Радиоэлектроника; Полупроводниковые приборы; Вычислительная техника; Имитационное компьютерное моделирование; КМОП-микросхемы; SPICE-модели; кольцевые генераторы; частотные отклики генераторов; имитация частотных откликов; ионизирующее облучение; низкоинтенсивное облучение; CMOS chips; SPICE models; ring generators; frequency responses of generators; simulation of frequency responses; ionizing radiation; low-intensity radiation
UDC	621.382; 004.94
LBC	32.852; 32.973-018.2
Document type	Article, report
File type	Other
Language	Russian
DOI	10.24151/1561-5405-2024-29-4-514-524
Rights	Доступ по паролю из сети Интернет (чтение)

https://elibrary.ru/item.asp?id=68621708

Разработка устройства для получения высококачественного синусоидального переменного напряжения // Известия высших учебных заведений. Электроника. – 2024. – Т. 29, № 4. — С. 525-538

Creators	Маслаков М. П.; Лыков О. В.
Imprint	2024
Collection	Общая коллекция
Subjects	Радиоэлектроника; Полупроводниковые приборы; переменное напряжение; синусоидальное напряжение; высококачественное переменное напряжение; устройства для получения напряжения; микроконтроллеры; инверторы; транзисторы; alternating voltage; sinusoidal voltage; high-quality alternating voltage; voltage receiving devices; microcontrollers; inverters; transistors
UDC	621.382
LBC	32.852
Document type	Article, report
File type	Other
Language	Russian
DOI	10.24151/1561-5405-2024-29-4-525-538
Rights	Доступ по паролю из сети Интернет (чтение)

https://elibrary.ru/item.asp?id=68621709

TCAD-моделирование транзистора со статической индукцией // Известия высших учебных заведений. Электроника. – 2024. – Т. 29, № 4. — С. 489-503

Creators	Максименко Ю. Н.; Петросянц К. О.; Силкин Д. С.; Грабежова В. К.
Imprint	2024
Collection	Общая коллекция
Subjects	Радиоэлектроника; Полупроводниковые приборы; транзисторы; моделирование транзисторов; TCAD-моделирование; статическая индукциия; физико-математические модели; сопротивление транзисторов; электрические характеристики; transistors; transistor simulation; TCAD simulation; static induction; physical-mathematical models; resistance of transistors; electrical characteristics
UDC	621.382
LBC	32.852
Document type	Article, report
File type	Other
Language	Russian
DOI	10.24151/1561-5405-2024-29-4-489-503
Rights	Доступ по паролю из сети Интернет (чтение)

https://elibrary.ru/item.asp?id=68621706

Моделирование транзистора с плавающим затвором на основе ван-дер-ваальсового гетероперехода графен/h-BN/MoS[2] // Известия высших учебных заведений. Электроника. – 2024. – Т. 29, № 4. — С. 478-488

Creators	Мефтахутдинов Р. М.
Imprint	2024
Collection	Общая коллекция
Subjects	Радиоэлектроника; Полупроводниковые приборы; транзисторы; моделирование транзисторов; транзисторы с плавающим затвором; ван-дер-ваальсовые гетеропереходы; графены; DFT-расчеты; мемристоры; transistors; simulation of transistors; floating gate transistors; van der Waals heterojunctions; graphenes; DFT calculations; memristors
UDC	621.382
LBC	32.852
Document type	Article, report
File type	Other
Language	Russian
DOI	10.24151/1561-5405-2024-29-4-478-488
Rights	Доступ по паролю из сети Интернет (чтение)

https://elibrary.ru/item.asp?id=68621705

Королёву Михаилу Александровичу - 90 лет // Известия высших учебных заведений. Электроника: научно-технический журнал. – 2023. – Т. 28, № 2. — С. 261-262

Imprint	2023
Collection	Общая коллекция
Subjects	Радиоэлектроника; Полупроводниковые приборы; юбилеи; юбиляры; биографии; учёные; профессора; микроэлектроника; беспереходные МОП-транзисторы; интегральная наноэлектроника
UDC	621.382
LBC	32.852
Document type	Article, report
File type	Other
Language	Russian
Rights	Доступ по паролю из сети Интернет (чтение)

https://elibrary.ru/item.asp?id=50767486

Применение технологии атомно-слоевого осаждения оксида гафния в производстве элементов электронной компонентной базы // Научно-технические ведомости Санкт-Петербургского государственного политехнического университета. Сер.: Информатика. Телекоммуникации. Управление: научное издание. – 2015. – № 4 (224)

Creators	Алябьев Алексей Юрьевич
Organization	Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого; Министерство образования и науки Российской Федерации
Imprint	Санкт-Петербург: Изд-во Политехн. ун-та, 2015
Collection	Общая коллекция
Subjects	Радиоэлектроника; Полупроводниковые приборы; атомно-слоевые осаждения; оксид гафния; гафний; электронная компонентная база; миниатюризация; полупроводниковые интегральные схемы; диэлектрические характеристики; микроструктурный анализ
UDC	621.382
LBC	32.852
Document type	Article, report
File type	PDF
Language	Russian
DOI	10.5862/JCSTCS.224.5
Rights	Свободный доступ из сети Интернет (чтение, печать, копирование)

pdf, 403 Kb