Electronic Documents Search

Documents found: 64

Разработка слоев на основе оксида молибдена для полупроводниковых газовых датчиков // Известия высших учебных заведений. Электроника. – 2024. – Т. 29, № 2. — С. 139-146

Creators	Налимова С. С.; Шомахов З. В.; Мошников В. А.
Imprint	2024
Collection	Общая коллекция
Subjects	Радиоэлектроника; Полупроводниковые приборы; полупроводниковые датчики; газовые датчики; молибден; оксид молибдена; гидротермальный синтез; фотоэлектронная спектроскопия; газочувствительные слои; semiconductor sensors; gas sensors; molybdenum; molybdenum oxide; hydrothermal synthesis; photoelectron spectroscopy; gas-sensitive layers
UDC	621.382
LBC	32.852
Document type	Article, report
File type	Other
Language	Russian
DOI	10.24151/1561-5405-2024-29-2-139-146
Rights	Доступ по паролю из сети Интернет (чтение)

https://elibrary.ru/item.asp?id=65638859

Моделирование электротепловых переходных процессов в мощных электронных схемах на печатных платах с использованием программного обеспечения Comsol, Spice, "Асоника-ТМ" // Известия высших учебных заведений. Электроника. – 2024. – Т. 29, № 1. — С. 65-78

Creators	Петросянц К. О.; Харитонов И. А.; Тегин М. С.
Imprint	2024
Collection	Общая коллекция
Subjects	Радиоэлектроника; Полупроводниковые приборы; Физика; Физика высоких и низких температур; электронные схемы; мощные электронные схемы; печатные платы; электротепловые переходные процессы; моделирование электротепловых процессов; программное обеспечение; тепловые схемы; electronic circuits; powerful electronic circuits; printed circuit boards; electrothermal transients; modeling of electrothermal processes; software; thermal circuits
UDC	621.382; 536.48
LBC	32.852; 22.368
Document type	Article, report
File type	Other
Language	Russian
DOI	10.24151/1561-5405-2024-29-1-65-78
Rights	Доступ по паролю из сети Интернет (чтение)

https://elibrary.ru/item.asp?id=61486466

Optimization of the audio-frequency voltage-controlled oscillator // Известия высших учебных заведений. Электроника. – 2024. – Т. 29, № 1. — С. 42-51

Creators	Babajanyan H. A.; Khudaverdyan S. Kh.
Imprint	2024
Collection	Общая коллекция
Subjects	Радиоэлектроника; Полупроводниковые приборы; generators; audio frequency generators; optimization of RF generators; voltage control; inverters; Schmitt trigger; trigger Schmitt; генераторы; аудиочастотные генераторы; оптимизация аудиочастотных генераторов; управление напряжением; инверторы; триггер Шмитта; Шмитта триггер
UDC	621.382
LBC	32.852
Document type	Article, report
File type	Other
Language	English
DOI	10.24151/1561-5405-2024-29-1-42-51
Rights	Доступ по паролю из сети Интернет (чтение)

https://elibrary.ru/item.asp?id=61486463

Исследование влияния оптического излучения на интегральную микросхему ТТЛ-типа // Известия высших учебных заведений. Электроника. – 2024. – Т. 29, № 3. — С. 310-318

Creators	Рехвиашвили С. Ш.; Гаев Д. С.
Imprint	2024
Collection	Общая коллекция
Subjects	Радиоэлектроника; Полупроводниковые приборы; интегральные микросхемы; микросхемы ТТЛ-типа; оптическое излучение; статические характеристики; динамические характеристики; схемотехническое моделирование; быстродействие схем; integrated circuits; TTL-type chips; optical radiation; static characteristics; dynamic characteristics; circuit modeling; circuit performance
UDC	621.382
LBC	32.852
Document type	Article, report
File type	Other
Language	Russian
DOI	10.24151/1561-5405-2024-29-3-310-318
Rights	Доступ по паролю из сети Интернет (чтение)

https://www.elibrary.ru/item.asp?id=67881706

Исследование p-i-n-диодных структур на высокоомных кремниевых подложках методом релаксационной спектроскопии глубоких уровней // Известия высших учебных заведений. Электроника. – 2024. – Т. 29, № 4. — С. 411-419

Creators	Григорьева Т. В.; Голубков С. А.; Бойко А. Н.
Imprint	2024
Collection	Общая коллекция
Subjects	Радиоэлектроника; Полупроводниковые приборы; диодные структуры; p-i-n-диодные структуры; кремниевые подложки; высокоомные кремниевые подложки; релаксационная спектроскопия; спектроскопия глубоких уровней; высокоомный кремний; diode structures; p-i-n diode structures; silicon substrates; high resistance silicon substrates; relaxation spectroscopy; deep level spectroscopy; high resistance silicon
UDC	621.382
LBC	32.852
Document type	Article, report
File type	Other
Language	Russian
DOI	10.24151/1561-5405-2024-29-4-411-419
Rights	Доступ по паролю из сети Интернет (чтение)

https://www.elibrary.ru/item.asp?id=68621699

Оценка неоднородности распределения плотности тока и температуры в структурах биполярных и гетеробиполярных высокочастотных и сверхвысокочастотных транзисторов по рекомбинационному излучению // Оптика и спектроскопия. – 2023. – Т. 131, № 11. — С. 1461-1463

Creators	Сергеев В. А.; Фролов И. В.; Казанков А. А.
Imprint	2023
Collection	Общая коллекция
Subjects	Радиоэлектроника; Полупроводниковые приборы; транзисторы; высокочастотные транзисторы; сверхвысокочастотные транзисторы; гетеробиполярные транзисторы; биполярные транзисторы; рекомбинационное излучение; распределение плотности тока; распределение температуры
UDC	621.382
LBC	32.852
Document type	Article, report
File type	Other
Language	Russian
DOI	10.61011/OS.2023.11.57001.5050-23
Rights	Доступ по паролю из сети Интернет (чтение)

https://elibrary.ru/item.asp?id=60019296

Методика оптимизации электрофизических характеристик МОП-транзистора с использованием приборно-технологического моделирования // Известия высших учебных заведений. Электроника. – 2024. – Т. 29, № 5. — С. 585-594

Creators	Жангиреев Д.; Шемякин А. В.; Белостоцкая С. О.; Сивченко А. С.
Imprint	2024
Collection	Общая коллекция
Subjects	Радиоэлектроника; Полупроводниковые приборы; МОП-транзисторы; электрофизические характеристики; приборно-технологическое моделирование; компактные модели; пороговое напряжение; быстродействие; ионная имплантация; MOSFETs; electrophysical characteristics; instrumentation-technological modeling; compact models; threshold voltage; performance; ion implantation
UDC	621.382
LBC	32.852
Document type	Article, report
File type	Other
Language	Russian
DOI	10.24151/1561-5405-2024-29-5-585-594
Rights	Доступ по паролю из сети Интернет (чтение)

https://elibrary.ru/item.asp?id=72753284

Электроника и схемотехника. Полупроводниковые приборы: устройство, принцип действия, применение в усилителях: учебное пособие для студентов высших учебных заведений, обучающихся по направлению подготовки «Техническая физика»

Creators	Новиков Юрий Николаевич; Усов Владимир Сергеевич
Organization	Санкт-Петербургский государственный политехнический университет
Imprint	Санкт-Петербург: Изд-во Политехн. ун-та, 2010
Electronic publication	Санкт-Петербург, 2020
Collection	Учебная и учебно-методическая литература; Общая коллекция
Subjects	Электроника; Полупроводниковые приборы
UDC	621.382(075.8)
Document type	Tutorial
File type	PDF
Language	Russian
Speciality code (FGOS)	16.00.00; 11.00.00
Speciality group (FGOS)	160000 - Физико-технические науки и технологии; 110000 - Электроника, радиотехника и системы связи
DOI	10.18720/SPBPU/2/si20-20
Rights	Доступ по паролю из сети Интернет (чтение, печать, копирование)

pdf, 22 Mb

Особенности разработки программной документации по стандартам ЕСПД для САПР микроэлектроники // Известия высших учебных заведений. Электроника. – 2024. – Т. 29, № 5. — С. 687-693

Creators	Гундарцев М. А.; Семенов М. Ю.; Калашников В. С.; Королев В. В.; Константинова А. А.
Imprint	2024
Collection	Общая коллекция
Subjects	Техника; Стандартизация. Контроль качества; Радиоэлектроника; Полупроводниковые приборы; микроэлектроника; система автоматизированного проектирования; стандарты; программная документация; программное обеспечение; функционал программ; разработка программной документации; microelectronics; computer-aided design system; standards; software documentation; software; software functionality; development of software documentation
UDC	658.516; 621.382
LBC	30ц; 32.852
Document type	Article, report
File type	Other
Language	Russian
DOI	10.24151/1561-5405-2024-29-5-687-693
Rights	Доступ по паролю из сети Интернет (чтение)

https://www.elibrary.ru/item.asp?id=72753297

Нормально-закрытые GaN-транзисторы для комплементарной пары // Известия высших учебных заведений. Электроника. – 2024. – Т. 29, № 5. — С. 616-624

Creators	Егоркин В. И.; Чуканова О. Б.
Imprint	2024
Collection	Общая коллекция
Subjects	Радиоэлектроника; Полупроводниковые приборы; GaN-транзисторы; нормально-закрытые GaN-транзисторы; комплементарные пары; TCAD-моделирование; интегральные схемы; монолитные интегральные схемы; p-GaN-затворы; GaN transistors; normally closed GaN transistors; complementary pairs; TCAD simulation; integrated circuits; monolithic integrated circuits; p-GaN-gate valves
UDC	621.382
LBC	32.852
Document type	Article, report
File type	Other
Language	Russian
DOI	10.24151/1561-5405-2024-29-5-616-624
Rights	Доступ по паролю из сети Интернет (чтение)

https://www.elibrary.ru/item.asp?id=72753291