Electronic Documents Search

Documents found: 1

1

Properties of the semiconductor structure with a p–n-junction created in a porous silicon film under laser radiation // Научно-технические ведомости Санкт-Петербургского государственного политехнического университета. Сер.: Физико-математические науки: научное издание. – 2018. – Т. 11, № 1

Creators	Tregulov V. V.; Stepanov V. A.; Melnik N. N.
Organization	Рязанский государственный университет имени С. А. Есенина; Физический инстиут им. П. Н. Лебедева РАН
Imprint	Санкт-Петербург: Изд-во Политехн. ун-та, 2018
Collection	Общая коллекция
Subjects	Люминесценция; Физика; p-n transitions; laser radiation; Raman scattering; photoluminescence; crystallites; пористый кремний; p-n переходы; лазерное излучение; комбинационное рассеяние света; фотолюминесценция; кристаллиты; porous silicon
UDC	535.37
LBC	22.345
Document type	Article, report
File type	Other
Language	English
DOI	10.18721/JPM.11102
Rights	Свободный доступ из сети Интернет (чтение, печать, копирование)

pdf, 0.9 Mb

1