Electronic Documents Search

Documents found: 64

Особенности TCAD- и SPICE-моделирования удара заряженной частицы в 6T-ячейку статической памяти, изготовленную по КМОП-технологии с проектными нормами 28 нм // Известия высших учебных заведений. Электроника: научно-технический журнал. – 2023. – Т. 28, № 6. — С. 826-837

Creators	Петросянц К. О.; Силкин Д. С.; Попов Д. А.; Исмаил-Заде М. Р.; Харитонов И. А.; Переверзев Л. Е.; Морозов А. А.; Тургенев П. В.
Imprint	2023
Collection	Общая коллекция
Subjects	Радиоэлектроника; Полупроводниковые приборы; заряженые частицы; удары заряженных частиц; SPICE-моделирование ударов; TCAD-моделирование ударов; ячейки статической памяти; КМОП-технологии; транзисторы; charged particles; charged particle impacts; SPICE-shock simulation; TCAD-shock simulation; static memory cells; CMOS technology; transistors
UDC	621.382
LBC	32.852
Document type	Article, report
File type	Other
Language	Russian
DOI	10.24151/1561-5405-2023-28-6-826-837
Rights	Доступ по паролю из сети Интернет (чтение)

https://elibrary.ru/item.asp?id=55172144

Тепловое сопротивление светодиодов на основе узкозонного твердого раствора InAsSb // Оптика и спектроскопия. – 2023. – Т. 131, № 11. — С. 1502-1504

Creators	Закгейм А. Л.; Климов А. А.; Лухмырина Т. С.; Матвеев Б. А.; Черняков А. Е.
Imprint	2023
Collection	Общая коллекция
Subjects	Радиоэлектроника; Полупроводниковые приборы; светодиоды; тепловое сопротивление; твердые растворы; узкозонные твердые растворы; ИК светодиоды; температурные коэффициенты; коэффициент прямого напряжения; температурночувствительные параметры
UDC	621.382
LBC	32.852
Document type	Article, report
File type	Other
Language	Russian
DOI	10.61011/OS.2023.11.57012.5201-23
Rights	Доступ по паролю из сети Интернет (чтение)

https://elibrary.ru/item.asp?id=60019307

Фрактальные свойства лавинного пробоя светодиода // Научно-технические ведомости Санкт-Петербургского государственного политехнического университета. Сер.: Физико-математические науки: научное издание. – 2016. – № 4 (253)

Creators	Шашкина Антонина Сергеевна; Кривошейкин Анатолий Валентинович; Скворцов Николай Николаевич; Воротков Михаил Владимирович
Imprint	Санкт-Петербург: Изд-во Политехн. ун-та, 2016
Collection	Общая коллекция
Subjects	Радиоэлектроника; Полупроводниковые приборы; светодиоды; лавинные пробои (физика); фрактальные свойства; микроплазма; фракталы; p-n-переходы; микроплазменные шумы; электронные компоненты; электрические пробои
UDC	621.382
LBC	32.852
Document type	Article, report
File type	PDF
Language	Russian
DOI	10.5862/JPM.253.8
Rights	Свободный доступ из сети Интернет (чтение, печать, копирование)

pdf, 1.3 Mb

Исследование влияния плазменной обработки на свойства сформированных химическим осаждением из газовой фазы тонких пленок нитрида титана // Известия высших учебных заведений. Электроника: научно-технический журнал. – 2022. – Т. 27, № 6. — С. 715-722

Creators	Горностай-Польский В. С.; Шевяков В. И.
Imprint	2022
Collection	Общая коллекция
Subjects	Радиоэлектроника; Полупроводниковые приборы; нитрид титана; МДП-структуры; пленки нитрида титана; газовые фазы; химическое осаждение; свойства пленок нитрида титана; плазменная обработка; titanium nitride; TIR structures; titanium nitride films; gas phases; chemical deposition; properties of titanium nitride films; plasma treatment
UDC	621.382
LBC	32.852
Document type	Article, report
File type	Other
Language	Russian
DOI	10.24151/1561-5405-2022-27-6-715-722
Rights	Доступ по паролю из сети Интернет (чтение)

https://elibrary.ru/item.asp?id=49993425

Формирование планарных автоэмиссионных приборов на основе углеродных нанотрубок на сплаве Co-Nb-N-(O) // Известия высших учебных заведений. Электроника: научно-технический журнал. – 2022. – Т. 27, № 6. — С. 723-739

Creators	Громов Д. Г.; Ерицян Г. С.; Кицюк Е. П.; Савицкий А. И.; Скорик С. Н.; Дубков С. В.; Гринаковский Е. Д.; Булярский С. В.; Дудин А. А.; Волкова Л. С.; Еганова Е. М.; Трифонов А. Ю.; Поляков М. В.; Орлов А. П.; Рудаков Г. А.; Светухин В. В.
Imprint	2022
Collection	Общая коллекция
Subjects	Радиоэлектроника; Полупроводниковые приборы; автоэмиссионные приборы; планарные автоэмиссионные приборы; углеродные нанотрубки; сплавы; электронная эмиссия; плазмостимулированное осаждение; газовые фазы; auto-emission devices; planar auto emission devices; carbon nanotubes; alloys; electronic issue; plasma-stimulated deposition; gas phases
UDC	621.382
LBC	32.852
Document type	Article, report
File type	Other
Language	Russian
DOI	10.24151/1561-5405-2022-27-6-723-739
Rights	Доступ по паролю из сети Интернет (чтение)

https://elibrary.ru/item.asp?id=49993426

Stress and strain engineering at nanoscale in semiconductor devices

Creators	Maiti Chinmay K.
Imprint	Boca Raton: CRC Press, 2021
Collection	Электронные книги зарубежных издательств; Общая коллекция
Subjects	Полупроводниковые приборы; Нанотехнология; Деформация; Напряжения (мех.); Semiconductors; Strains and stresses; Nanoelectronics
UDC	621.382; 620.3; 539.3
Document type	Other
File type	PDF
Language	English
Rights	Доступ по паролю из сети Интернет (чтение)

pdf, 41 Mb

Guide to semiconductor engineering

Creators	Ruzyllo Jerzy
Imprint	Singapore [etc.]: World Scientific, cop. 2020
Collection	Электронные книги зарубежных издательств; Общая коллекция
Subjects	Полупроводниковые приборы; World Scientific Publishing eBooks Collection
UDC	621.382
Document type	Other
File type	Other
Language	English
Rights	Доступ по паролю из сети Интернет (чтение, печать)

https://www.worldscientific.com/worldscibooks/10.1142/11706

Исследование p-i-n-диодных структур на высокоомных кремниевых подложках методом релаксационной спектроскопии глубоких уровней // Известия высших учебных заведений. Электроника. – 2024. – Т. 29, № 4. — С. 411-419

Creators	Григорьева Т. В.; Голубков С. А.; Бойко А. Н.
Imprint	2024
Collection	Общая коллекция
Subjects	Радиоэлектроника; Полупроводниковые приборы; диодные структуры; p-i-n-диодные структуры; кремниевые подложки; высокоомные кремниевые подложки; релаксационная спектроскопия; спектроскопия глубоких уровней; высокоомный кремний; diode structures; p-i-n diode structures; silicon substrates; high resistance silicon substrates; relaxation spectroscopy; deep level spectroscopy; high resistance silicon
UDC	621.382
LBC	32.852
Document type	Article, report
File type	Other
Language	Russian
DOI	10.24151/1561-5405-2024-29-4-411-419
Rights	Доступ по паролю из сети Интернет (чтение)

https://www.elibrary.ru/item.asp?id=68621699

Моделирование транзистора с плавающим затвором на основе ван-дер-ваальсового гетероперехода графен/h-BN/MoS[2] // Известия высших учебных заведений. Электроника. – 2024. – Т. 29, № 4. — С. 478-488

Creators	Мефтахутдинов Р. М.
Imprint	2024
Collection	Общая коллекция
Subjects	Радиоэлектроника; Полупроводниковые приборы; транзисторы; моделирование транзисторов; транзисторы с плавающим затвором; ван-дер-ваальсовые гетеропереходы; графены; DFT-расчеты; мемристоры; transistors; simulation of transistors; floating gate transistors; van der Waals heterojunctions; graphenes; DFT calculations; memristors
UDC	621.382
LBC	32.852
Document type	Article, report
File type	Other
Language	Russian
DOI	10.24151/1561-5405-2024-29-4-478-488
Rights	Доступ по паролю из сети Интернет (чтение)

https://elibrary.ru/item.asp?id=68621705

Разработка устройства для получения высококачественного синусоидального переменного напряжения // Известия высших учебных заведений. Электроника. – 2024. – Т. 29, № 4. — С. 525-538

Creators	Маслаков М. П.; Лыков О. В.
Imprint	2024
Collection	Общая коллекция
Subjects	Радиоэлектроника; Полупроводниковые приборы; переменное напряжение; синусоидальное напряжение; высококачественное переменное напряжение; устройства для получения напряжения; микроконтроллеры; инверторы; транзисторы; alternating voltage; sinusoidal voltage; high-quality alternating voltage; voltage receiving devices; microcontrollers; inverters; transistors
UDC	621.382
LBC	32.852
Document type	Article, report
File type	Other
Language	Russian
DOI	10.24151/1561-5405-2024-29-4-525-538
Rights	Доступ по паролю из сети Интернет (чтение)

https://elibrary.ru/item.asp?id=68621709