Electronic Documents Search

Documents found: 2

1

Properties of the semiconductor structure with a p–n-junction created in a porous silicon film under laser radiation // Научно-технические ведомости Санкт-Петербургского государственного политехнического университета. Сер.: Физико-математические науки: научное издание. – 2018. – Т. 11, № 1

Creators	Tregulov V. V.; Stepanov V. A.; Melnik N. N.
Organization	Рязанский государственный университет имени С. А. Есенина; Физический инстиут им. П. Н. Лебедева РАН
Imprint	Санкт-Петербург: Изд-во Политехн. ун-та, 2018
Collection	Общая коллекция
Subjects	Люминесценция; Физика; p-n transitions; laser radiation; Raman scattering; photoluminescence; crystallites; пористый кремний; p-n переходы; лазерное излучение; комбинационное рассеяние света; фотолюминесценция; кристаллиты; porous silicon
UDC	535.37
LBC	22.345
Document type	Article, report
File type	Other
Language	English
DOI	10.18721/JPM.11102
Rights	Свободный доступ из сети Интернет (чтение, печать, копирование)

pdf, 0.9 Mb

Увеличение усталостной долговечности образцов системы "пленка (Ti)/(АК5М2) подложка" подвергнутых импульсной электронно-пучковой обработке // Инженерная физика. – 2024. – № 6. — С. 3-16

Creators	Загуляев Д. В.; Иванов Ю. Ф.; Шляров В. В.; Серебрякова А. А.
Imprint	2024
Collection	Общая коллекция
Subjects	Физика; Физика твердого тела. Кристаллография в целом; система пленка-подложка; доэвтектический силумин; титановые образцы; усталостные испытания; электронно-пучковая обработка; кристаллиты; film-substrate system; pre-eutectic silumin; titanium samples; fatigue tests; electron beam processing; crystallites
UDC	539.2
LBC	22.37
Document type	Article, report
File type	Other
Language	Russian
Rights	Доступ по паролю из сети Интернет (чтение)

https://elibrary.ru/item.asp?id=67911518

1