Эффект резистивного переключения в гетероструктурах n-GaN/p-Si = The resistive switching effect in the n-GaN/p-Si heterostructures / К. Ю. Шугуров, А. М. Можаров, А. К. Кавеев, В. В. Федоров. — 1 файл (2,3 Мб). — (Физика конденсированного состояния). — DOI 10.18721/JPM.19101. — Текст: электронный // Научно-технические ведомости Санкт-Петербургского государственного политехнического университета. Сер.: Физико-математические науки. – 2026. – Т. 19, № 1. — С. 9-18. — Загл. с титул. экрана. — Свободный доступ из сети Интернет (чтение, печать, копирование). — <URL:http://elib.spbstu.ru/dl/2/j26-148.pdf>.
| Period | Read | Copy | Open | Total | |
|---|---|---|---|---|---|
| Year 2026 | 8 | 0 | 4 | 0 | 12 |
| Total | 8 | 0 | 4 | 0 | 12 |