Оптимизирован процесс плазмохимического травления монокристаллического кварца в установке плазмохимического травления с источником ВЧ индуктивно связанной плазмы. Описаны различные виды газовых разрядов, также проведен анализ существующих методов травления монокристаллического кварца. Описан и применен метод планирования экспериментов на основе матричного метода Тагучи. Проведена серия экспериментов согласно разработанному плану для выявления степени влияния технологических параметров на скорость травления кварца. Обработанные образцы изучены на растровом электронном микроскопе. Полученные данные обработаны по методу Тагучи в пакете Minitab 17. Определены оптимальные параметры для процесса плазмохимического травления монокристаллического кварца и проведены контрольные эксперименты. Получены структуры с окнами глубиной 30 мкм. Проведен процесс сквозного травления монокристаллического кварца.

Optimized plasma chemical etching of single crystal quartz for installation of plasma-chemical etching with a source of high frequency inductively coupled plasma.Described various types of gas discharges, and the analysis of existing single-crystal quartz etching techniques. Described and applied the method of experiments design based on the Taguchi matrix method. Completed series of experiments in accordance with the plan to determine the degree of influence of technological parameters on the quartz etch rate. The samples were examined with scanning electron microscope. The data processed in the package Minitab 17 by the Taguchi method. The optimum parameters for plasma chemical etching of single crystal quartz and conducted control experiments. Obtained structure with windows 30 µm deep. Swipe through the process of etching the single crystal quartz.