Details

Title Разработка технологии изменения профиля маски фоторезистивных слоев для создания омических контактов СВЧ-транзисторов на основе эпитаксиальных гетероструктур AlGaAs/GaAs: магистерская диссертация: 22.04.01
Creators Юдакова Анна Александровна
Scientific adviser Соловьев Юрий Владимирович
Organization Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого. Институт металлургии, машиностроения и транспорта
Imprint Санкт-Петербург, 2017
Collection Выпускные квалификационные работы ; Общая коллекция
Subjects Полупроводниковые приборы сверхвысокочастотные ; Фотолитография ; маски фоторезистивных слоев ; транзисторы
UDC 621.383.4(043.3) ; 776(043.3)
Document type Master graduation qualification work
File type PDF
Language Russian
Level of education Master
Speciality code (FGOS) 22.04.01
Speciality group (FGOS) 220000 - Технологии материалов
DOI 10.18720/SPBPU/2/v17-3427
Rights Доступ по паролю из сети Интернет (чтение, печать, копирование)
Record key RU\SPSTU\edoc\44523
Record create date 10/13/2017

Allowed Actions

Action 'Read' will be available if you login or access site from another network

Action 'Download' will be available if you login or access site from another network

Group Anonymous
Network Internet

Проведено исследование методов формирования профиля маски фоторезистивных слоев, применяемой в технологии «взрывной» литографии. Осуществлена разработка технологии формирования фоторезистивной маски методом контактной фотолитографии для создания омических контактов СВЧ-транзисторов на основе эпитаксиальных гетероструктур AlGaAs/GaAs. Использовались маски ФП 4-04 мВ и LOR 5B/ФП 4-04 мВ. Нанесение резистов осуществлялось центрифугированием, экспонирование проводилось на установке контактной фотолитографии ЭМ 5026 М с использованием темнопольного хромового шаблона.

Network User group Action
ILC SPbPU Local Network All
Read Print Download
Internet Authorized users SPbPU
Read Print Download
Internet Anonymous

Access count: 1253 
Last 30 days: 0

Detailed usage statistics