Details

Title: Исследование возможности применения ионно-лучевого травления для планаризации термокомпенсированных ПАВ-фильтров: выпускная квалификационная работа магистра: направление 22.04.01 «Материаловедение и технологии материалов» ; образовательная программа 22.04.01_01 «Материаловедение наноматериалов и компонентов электронной техники»
Creators: Белавина Наталья Александровна
Scientific adviser: Шахмин Александр Львович
Other creators: Филатов Леонид Анатольевич
Organization: Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого. Институт машиностроения, материалов и транспорта
Imprint: Санкт-Петербург, 2020
Collection: Выпускные квалификационные работы; Общая коллекция
Subjects: Акустоэлектроника; Кремний, окислы; термокомпенсация; ионно-лучевое травление; планаризация; thermocompensation; ion beam etching; planarization
UDC: 534:621.38
Document type: Master graduation qualification work
File type: PDF
Language: Russian
Speciality code (FGOS): 22.04.01
Speciality group (FGOS): 220000 - Технологии материалов
Links: Отзыв руководителя; Рецензия; Отчет о проверке на объем и корректность внешних заимствований
DOI: 10.18720/SPBPU/3/2020/vr/vr20-1367
Rights: Доступ по паролю из сети Интернет (чтение)

Allowed Actions:

Action 'Read' will be available if you login or access site from another network

Group: Anonymous

Network: Internet

Annotation

Данная работа посвящена исследованию метода ионно-лучевого травления и подбору оптимального технологического режима, а именно угла падения ионов, для проведения планаризации термокомпенсированных ПАВ-фильтров. Задачи, которые решались в ходе исследования: 1. Изучение методов улучшения температурного коэффициента частоты и влияния покрытий на характеристики ПАВ-фильтров; 2. Изучение способов планаризации с целью оптимизации частотных характеристик ПАВ-фильтров; 3. Установление влияния мощности ICP-источника и угла падения ионов на скорость процесса ионно-лучевого травления; 4. Выявление оптимального угла для планаризации поверхности оксида кремния и исследование получаемого микрорельефа. Работа проведена на базе ОАО «Авангард», где проводились основ-ные эксперименты. Были определены зависимости скорости ионно-лучевого травления для ниобата лития от мощности ICP-источника и угла падения ионов. Был проведен теоретический расчёт максимального коэффициента распыления для определения скорости травления оксида кремния. Определён параметр неплоскостности при планаризации поверхности оксида кремния под различными углами. С помощью АСМ проведено исследование шероховатости поверхности после ионно-лучевого травления. В результате был подобран оптимальный угол падения ионов для проведения планаризации оксида кремния с помощью ионно-лучевого травления. Установлено влияние планаризации на шероховатость поверхности. Полученные в эксперименте данные будут использованы для дальнейшего подбора оптимальных параметров, влияющих на процесс планаризации оксида кремния с целью улучшения параметра неплоскостности и состояния получаемой поверхности.

The presented work is devoted to the revealing the possibilities of ion beam etching procedure and choosing the optimal technological mode i.e. ion’s incidence angle for planarization of thermocompensated SAW – filters. The following goals were solved in the work: 1. Study the methods of improving the temperature coefficient of fre-quency and the effect of coatings on the characteristics of SAW – filters; 2. Study of planarization methods providing the optimization of fre-quency characteristics of SAW- filters; 3. Determination of the influence of the ICP-source power the angle of incidence of ions on the rate of the ion-beam etching process; 4. Determination of the optimal angle for the surface planarization of sil-icon oxide and analysis of the resulting surface microrelief. The work was fulfilled on the base of LLC (Limited lability Company) “Avangard”, where the main experiments were performed. The dependences of the ion-beam etching rate for lithium niobate surface on the ICP - source power and ion incidence angle were determined. A theoretical calculation of the maxi-mum sputtering coefficient was performed for determining the etching rate of sil-icon oxide. The nonflatness parameter was determined for the silicon oxide sur-faces planarized of at various angles. The surface roughness after ion beam etch-ing was analyzed using AFM. As a result, the optimal ion angle of incidence was chosen for planarization of silicon oxide using ion beam etching. The effect of planarization on surface roughness was determined. The data obtained in the experiments will be used for the further optimization of silicon oxide planarization parameters, that influence the nonflatness and the condition of the obtained surface.

Document access rights

Network User group Action
ILC SPbPU Local Network All Read
Internet Authorized users SPbPU Read
Internet Authorized users (not from SPbPU)
-> Internet Anonymous

Usage statistics

stat Access count: 5
Last 30 days: 0
Detailed usage statistics