Electronic Documents Search

Documents found: 64

Температурные характеристики шумовых диодов // Известия высших учебных заведений. Электроника. – 2024. – Т. 29, № 5. — С. 608-615

Creators	Зеневич А. О.; Кочергина О. В.; Буслюк В. В.; Федосюк Д. Н.; Лущий Д. А.
Imprint	2024
Collection	Общая коллекция
Subjects	Радиоэлектроника; Полупроводниковые приборы; диоды; шумовые диоды; температурные характеристики; напряжение пробоя; дифференциальное сопротивление (электроника); шумовые импульсы; частота шумовых импульсов; diodes; noise diodes; temperature characteristics; breakdown voltage; differential resistance (electronics); noise pulses; frequency of noise pulses
UDC	621.382
LBC	32.852
Document type	Article, report
File type	Other
Language	Russian
DOI	10.24151/1561-5405-2024-29-5-608-615
Rights	Доступ по паролю из сети Интернет (чтение)

https://www.elibrary.ru/item.asp?id=72753290

Зависимость коэффициента распространения пучка от конструкции волновода торцевых диодных лазеров // Оптика и спектроскопия. – 2024. – Т. 132, № 5. — С. 520-523

Creators	Гордеев Н. Ю.; Максимов М. В.
Imprint	2024
Collection	Общая коллекция
Subjects	Радиоэлектроника; Полупроводниковые приборы; диодные лазеры; торцевые диодные лазеры; волноводы; лазерные пучки; оптические волноводы; вертикальные волноводы; полупроводниковые лазеры; оптические потери; численное моделирование
UDC	621.382
LBC	32.852
Document type	Article, report
File type	Other
Language	Russian
DOI	10.61011/OS.2024.05.58458.6163-24
Rights	Доступ по паролю из сети Интернет (чтение)

https://www.elibrary.ru/item.asp?id=72800823

Электрический шум в полупроводниковых материалах // Инженерная физика. – 2024. – № 3. — С. 29-35

Creators	Якубович Б. И.
Imprint	2024
Collection	Общая коллекция
Subjects	Радиоэлектроника; Полупроводниковые приборы; полупроводниковые материалы; электрические шумы; полупроводники; флуктуации; спектры; структурные дефекты; semiconductor materials; electrical noise; semiconductors; fluctuations; spectra; structural defects
UDC	621.382
LBC	32.852
Document type	Article, report
File type	Other
Language	Russian
DOI	10.25791/infizik.3.2024.1393
Rights	Доступ по паролю из сети Интернет (чтение)

https://www.elibrary.ru/item.asp?id=64005955

Высокочастотная модель транзистора со статической индукцией // Известия высших учебных заведений. Электроника. – 2024. – Т. 29, № 6. — С. 772-786

Creators	Максименко Ю. Н.; Петросянц К. О.; Силкин Д. С.; Грабежова В. К.
Imprint	2024
Collection	Общая коллекция
Subjects	Радиоэлектроника; Полупроводниковые приборы; транзисторы; транзисторы со статической индукцией; высокочастотные модели; физико-математические модели; сопротивление транзисторов; быстродействие; высокочастотные свойства транзисторов; transistors; transistors with static induction; high-frequency models; physical-mathematical models; transistor resistance; performance; high-frequency properties of transistors
UDC	621.382
LBC	32.852
Document type	Article, report
File type	Other
Language	Russian
DOI	10.24151/1561-5405-2024-29-6-772-786
Rights	Доступ по паролю из сети Интернет (чтение)

https://www.elibrary.ru/item.asp?id=75220372

Исследование зависимостей входных параметров нормально-закрытого GaN-НЕМТ-транзистора от режимов работы в гигагерцовом диапазоне // Известия высших учебных заведений. Электроника. – 2024. – Т. 29, № 6. — С. 763-771

Creators	Хлыбов А. И.; Родионов Д. В.; Егоркин В. И.; Котляров Е. Ю.; Лосев В. В.; Чаплыгин Ю. А.
Imprint	2024
Collection	Общая коллекция
Subjects	Радиоэлектроника; Полупроводниковые приборы; транзисторы; GaN-НЕМТ-транзисторы; нормально-закрытые транзисторы; входные параметры транзисторов; гигагерцовые диапазоны; нитрид галлия; двумерные электронные газы; transistors; GaN-NEMT transistors; normally-closed transistors; transistor input parameters; gigahertz ranges; gallium nitride; two-dimensional electron gases
UDC	621.382
LBC	32.852
Document type	Article, report
File type	Other
Language	Russian
DOI	10.24151/1561-5405-2024-29-6-763-771
Rights	Доступ по паролю из сети Интернет (чтение)

https://www.elibrary.ru/item.asp?id=75220371

Моделирование и исследование теплоэлектрических процессов в светодиодных матрицах // Известия высших учебных заведений. Электроника. – 2024. – Т. 29, № 6. — С. 752-762

Creators	Ходаков А. М.; Сергеев В. А.; Фролов И. В.; Радаев О. А.; Зайцев С. А.
Imprint	2024
Collection	Общая коллекция
Subjects	Радиоэлектроника; Полупроводниковые приборы; светодиодные матрицы; теплоэлектрические процессы; моделирование теплоэлектрических процессов; тепловые параметры; теплопроводность; нагрев светодиодов; термомеханическое напряжение; LED matrices; thermal power processes; modeling of thermoelectric processes; thermal parameters; thermal conductivity; LED heating; thermomechanical voltage
UDC	621.382
LBC	32.852
Document type	Article, report
File type	Other
Language	Russian
DOI	10.24151/1561-5405-2024-29-6-752-762
Rights	Доступ по паролю из сети Интернет (чтение)

https://www.elibrary.ru/item.asp?id=75220370

Атомно-слоевое осаждение оксида тантала для сенсоров на основе полевого эффекта // Известия высших учебных заведений. Электроника. – 2024. – Т. 29, № 6. — С. 724-735

Creators	Грудцов В. П.; Еганова Е. М.; Губанова О. В.; Горячев А. В.; Пучнин К. В.; Рязанцев Д. В.; Кузнецов А. Е.; Комарова Н. В.
Imprint	2024
Collection	Общая коллекция
Subjects	Радиоэлектроника; Полупроводниковые приборы; сенсоры; сенсоры на основе полевого эффекта; оксид тантала; атомно-слоевое осаждение; ISFET-транзисторы; биосенсоры; pH-сенсоры; sensors; field effect sensors; tantalum oxide; atomic layer deposition; ISFET transistors; biosensors; pH sensors
UDC	621.382
LBC	32.852
Document type	Article, report
File type	Other
Language	Russian
DOI	10.24151/1561-5405-2024-29-6-724-735
Rights	Доступ по паролю из сети Интернет (чтение)

https://www.elibrary.ru/item.asp?id=75220368

Тепловое сопротивление светодиодов на основе узкозонного твердого раствора InAsSb // Оптика и спектроскопия. – 2023. – Т. 131, № 11. — С. 1502-1504

Creators	Закгейм А. Л.; Климов А. А.; Лухмырина Т. С.; Матвеев Б. А.; Черняков А. Е.
Imprint	2023
Collection	Общая коллекция
Subjects	Радиоэлектроника; Полупроводниковые приборы; светодиоды; тепловое сопротивление; твердые растворы; узкозонные твердые растворы; ИК светодиоды; температурные коэффициенты; коэффициент прямого напряжения; температурночувствительные параметры
UDC	621.382
LBC	32.852
Document type	Article, report
File type	Other
Language	Russian
DOI	10.61011/OS.2023.11.57012.5201-23
Rights	Доступ по паролю из сети Интернет (чтение)

https://elibrary.ru/item.asp?id=60019307

Методы исследования и разработки стратегии предприятия на примере ООО «НПО «Полупроводниковые приборы»: магистерская диссертация: 38.04.02

Creators	Соловьева Мария Владимировна
Scientific adviser	Бурмистров Андрей Николаевич
Organization	Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого. Институт промышленного менеджмента, экономики и торговли
Imprint	Санкт-Петербург, 2017
Collection	Выпускные квалификационные работы; Общая коллекция
Subjects	Полупроводниковые приборы; стратегический менеджмент; финансовый анализ деятельности; инвестиционные проекты; диверсификация производства
LBC	65.305.46-211я031
Document type	Master graduation qualification work
File type	PDF
Language	Russian
Level of education	Master
Speciality code (FGOS)	38.04.02
Speciality group (FGOS)	380000 - Экономика и управление
DOI	10.18720/SPBPU/2/v17-4941
Rights	Доступ по паролю из сети Интернет (чтение, печать, копирование)

pdf, 1.1 Mb

Основы теории полупроводниковых p-n структур и контактов металл-полупроводник: учебное пособие

Creators	Ильин Владимир Иванович; Мусихин Сергей Федорович
Organization	Санкт-Петербургский государственный технический университет
Imprint	Санкт-Петербург: [Изд-во СПбГТУ], 1994
Electronic publication	Санкт-Петербург, 2020
Collection	Учебная и учебно-методическая литература; Общая коллекция
Subjects	Полупроводниковые приборы
UDC	621.382(075.8)
Document type	Tutorial
File type	PDF
Language	Russian
Speciality code (FGOS)	15.00.00
Speciality group (FGOS)	150000 - Машиностроение
DOI	10.18720/SPBPU/2/si20-798
Rights	Доступ по паролю из сети Интернет (чтение, печать, копирование)

pdf, 3.8 Mb