Electronic Documents Search

Documents found: 64

Creators	Yi Jiabao; Li Sean
Imprint	Oakville, ON: Apple Academic Press, 2017
Collection	Электронные книги зарубежных издательств; Общая коллекция
Subjects	Полупроводники; Электроника; Электронные приборы — Производство - Материалы
UDC	621.315.592; 621.38:620.22
Document type	Other
File type	Other
Language	English
Rights	Доступ по паролю из сети Интернет (чтение, печать)

http://search.ebscohost.com/login.aspx?direct=true&scope=site&db=nlebk&db=nlabk&AN=1773843

Моделирование средствами TCAD воздействия тяжелых заряженных частиц на n-МОП-структуру в составе ячейки памяти // Известия высших учебных заведений. Электроника: научно-технический журнал. – 2023. – Т. 28, № 3. — С. 385-390

Creators	Смирнова В. П.; Крупкина Т. Ю.
Imprint	2023
Collection	Общая коллекция
Subjects	Энергетика; Детали и узлы электрических аппаратов; Вычислительная техника; Имитационное компьютерное моделирование; n-МОП-структуры; ячейки памяти (электроника); тяжелые заряженные частицы; математическое моделирование; средства TCAD; интегральные микросхемы; полупроводники; n-mosfet structures; memory cells (electronics); heavy charged particles; mathematical modeling; TCAD tools; integrated circuits; semiconductors
UDC	621.3; 004.94
LBC	31.264-04; 32.973-018.2
Document type	Article, report
File type	Other
Language	Russian
DOI	10.24151/1561-5405-2023-28-3-385-390
Rights	Доступ по паролю из сети Интернет (чтение)

https://www.elibrary.ru/item.asp?id=54011399

A method for minimizing aging influence on rail-to-rail operational amplifier with thin oxide transistors // Известия высших учебных заведений. Электроника: научно-технический журнал. – 2023. – Т. 28, № 3. — С. 351-359

Creators	Melikyan V. Sh.; Ghukasyan S. A.; Harutyunyan S. S.; Voskanyan G. A.; Asatryan N. A.
Imprint	2023
Collection	Общая коллекция
Subjects	Энергетика; Детали и узлы электрических аппаратов; Радиоэлектроника; Полупроводниковые приборы; operational amplifiers (radioelectronics); transistors; oxide transistors; transistor aging; semiconductors; rail-to-rail design method; операционные усилители (радиоэлектроника); транзисторы; оксидные транзисторы; тонкие оксидные транзисторы; старение транзисторов; полупроводники; метод проектирования rail-to-rail
UDC	621.3; 621.382
LBC	31.264-04; 32.852
Document type	Article, report
File type	Other
Language	English
DOI	10.24151/1561-5405-2023-28-3-351-359
Rights	Доступ по паролю из сети Интернет (чтение)

https://www.elibrary.ru/item.asp?id=54011395

Интерфейсные оптические свойства гетеропереходов II типа в методе сильной связи // Материалы...25-30 ноября 2002 года. – 2004. – Физико-механический факультет и физико-технический факультет. — Ч.4

Creators	Нестоклон М. О.; Ивченко Е. Л.
Other creators	Глухов Владимир Викторович
Organization	Санкт-Петербургский государственный политехнический университет. Межвузовская научная конференция. Неделя науки (31; 2002; Санкт-Петербург); СПбГПУ. Физико-технический факультет; Совет СПбГПУ по научно-исследовательской работе студентов
Imprint	СПб., 2004
Collection	Общая коллекция
Subjects	полупроводники; оптические переходы; ось роста
Document type	Article, report
File type	PDF
Language	Russian
Rights	Свободный доступ из сети Интернет (чтение, печать, копирование)

pdf, 100 Kb

Modeling and electrothermal simulation of SiC power devices. Using Silvaco© ATLAS

Creators	Pushpakaran Bejoy N.; Bayne Stephen B.
Imprint	Singapore [etc.]: World Scientific, cop. 2019
Collection	Электронные книги зарубежных издательств; Общая коллекция
Subjects	Компьютерное моделирование; Полупроводники; Кремний, карбиды; World Scientific Publishing eBooks Collection
UDC	004.94; 621.315.592; 661.665.1
Document type	Other
File type	Other
Language	English
Rights	Доступ по паролю из сети Интернет (чтение, печать)

key://localhost/RU\SPSTU\edoc\73526

Электрический шум в полупроводниковых материалах // Инженерная физика. – 2024. – № 3. — С. 29-35

Creators	Якубович Б. И.
Imprint	2024
Collection	Общая коллекция
Subjects	Радиоэлектроника; Полупроводниковые приборы; полупроводниковые материалы; электрические шумы; полупроводники; флуктуации; спектры; структурные дефекты; semiconductor materials; electrical noise; semiconductors; fluctuations; spectra; structural defects
UDC	621.382
LBC	32.852
Document type	Article, report
File type	Other
Language	Russian
DOI	10.25791/infizik.3.2024.1393
Rights	Доступ по паролю из сети Интернет (чтение)

https://www.elibrary.ru/item.asp?id=64005955

Спектральный отклик микрорезонатора с двумя квантовыми точками, обусловленный взаимодействием между локализованными электронами // Оптика и спектроскопия. – 2022. – Т. 130, № 2. — С. 317-324

Creators	Цуканов А. В.
Imprint	2022
Collection	Общая коллекция
Subjects	Физика; Спектроскопия; микрорезонаторы; спектральные отклики; квантовые точки; локализованные электроны; нанофотоника; полупроводники; лазеры
UDC	535.33
LBC	22.344
Document type	Article, report
File type	Other
Language	Russian
DOI	10.21883/OS.2022.02.52002.2678-21
Rights	Доступ по паролю из сети Интернет (чтение)

https://www.elibrary.ru/item.asp?id=48007303

Примесная терагерцовая люминесценция в наноструктурах с квантовыми ямами при межзонном фотовозбуждении // Научно-технические ведомости Санкт-Петербургского государственного политехнического университета. Сер.: Физико-математические науки: научное издание. – 2016. – № 4 (253)

Creators	Махов Иван Сергеевич; Паневин Вадим Юрьевич; Винниченко Максим Яковлевич; Софронов Антон Николаевич; Фирсов Дмитрий Анатольевич; Воробьев Леонид Евгеньевич
Imprint	Санкт-Петербург: Изд-во Политехн. ун-та, 2016
Collection	Общая коллекция
Subjects	Физика; Физика твердого тела. Кристаллография в целом; люминесценция; терагерцевая люминесценция; примесная люминесценция; наноструктуры; квантовые ямы; межзонное фотовозбуждение; фотовозбуждение; полупроводники; спектральные диапазоны; электронно-дырочные пары; оптические переходы
UDC	539.2
LBC	22.37
Document type	Article, report
File type	PDF
Language	Russian
DOI	10.5862/JPM.253.5
Rights	Свободный доступ из сети Интернет (чтение, печать, копирование)

pdf, 0.5 Mb

Оптические свойства квантовых точек InGaP(As) в гетероструктурах GaAs/AlGaAs/InGaP/InGaAs // Оптический журнал: научно-технический журнал. – 2024. – № 6. — С. 30-38

Creators	Андрюшкин В. В.; Новиков И. И.; Гладышев А. Г.; Бабичев А. В.; Неведомский В. Н.; Папылев Д. С.; Колодезный Е. С.; Карачинский Л. Я.; Егоров А. Ю.
Imprint	2024
Collection	Общая коллекция
Subjects	Энергетика; Полупроводниковые материалы и изделия; квантовые точки; полупроводниковые квантовые точки; оптические свойства; гетероструктуры; фотолюминесценция; молекулярно-пучковая эпитаксия; полупроводники; quantum dots; semiconductor quantum dots; optical properties; heterostructures; photoluminescence; molecular beam epitaxy; semiconductors
UDC	621.315.592
LBC	31.233
Document type	Article, report
File type	Other
Language	Russian
DOI	10.17586/1023-5086-2024-91-06-30-38
Rights	Доступ по паролю из сети Интернет (чтение)

https://eivis.ru/browse/issue/13873662/viewer?udb=12&page=32

Полупроводниковые элементы электронных устройств: учебное пособие

Creators	Орлов Г. В.; Токарев А. К.
Other creators	Орлов Г. А.
Organization	Московский государственный технический университет им. Н. Э. Баумана
Imprint	Москва: МГТУ им. Н.Э. Баумана, 2009
Collection	ЭБС "Университетская библиотека ONLINE"; Общая коллекция
Subjects	Полупроводники
UDC	621.315.592(075.8)
Document type	Tutorial
File type	Other
Language	Russian
Rights	Доступ по паролю из сети Интернет (чтение)

https://biblioclub.ru/index.php?page=book&id=257217