Electronic Documents Search

Documents found: 19

Моделирование подвижности электронов в органических материалах оптоэлектроники // Оптический журнал: научно-технический журнал. – 2024. – № 11. — С. 82-90

Creators	Беляев В. В.; Чаусов Д. Н.; Соломатин С. А.; Кучеров Р. Н.; Кумар С.; Маргарян А. Л.; Акопян Н. Г.; Ермакова М. В.; Беляев А. А.; Ханна Г. М.; Вечканов А. Р.; Андреев А. В.
Imprint	2024
Collection	Общая коллекция
Subjects	Радиоэлектроника; Фотоэлектрические приборы; Физика; Физика полупроводников и диэлектриков; оптоэлектроника; органические материалы; подвижность электронов; моделирование подвижности электронов; органические полупроводники; межмолекулярная энергия взаимодействия; метод межатомных потенциалов; optoelectronics; organic materials; electron mobility; modeling of electron mobility; organic semiconductors; intermolecular interaction energy; method of interatomic potentials
UDC	621.383; 537.311.33
LBC	32.854; 22.379
Document type	Article, report
File type	Other
Language	Russian
DOI	10.17586/1023-5086-2024-91-11-82-90
Rights	Доступ по паролю из сети Интернет (чтение)

https://eivis.ru/browse/issue/14766622/viewer?udb=12&page=84

Сила тяги электромагнитного движителя с незамкнутыми токами Фуко // Инженерная физика: научно-технический журнал. – 2023. – № 9. — С. 19-22

Creators	Герасимов С. А.
Imprint	2023
Collection	Общая коллекция
Subjects	Физика; Физика полупроводников и диэлектриков; Электрические и магнитные свойства твердых тел; электромагнитные движители; сила тяги; незамкнутые токи; токи Фуко; Фуко токи; переменные магнитные поля; electromagnetic thrusters; thrust force; open currents; toki Foucault; Foucault toki; variable magnetic fields
UDC	537.311.33; 539.21:537
LBC	22.379; 22.373
Document type	Article, report
File type	Other
Language	Russian
DOI	10.25791/infizik.9.2023.1354
Rights	Доступ по паролю из сети Интернет (чтение)

https://www.elibrary.ru/item.asp?id=54514129

Взаимодействие электромагнитной Н-волны с наноструктурой "диэлектрик-полупроводник-диэлектрик" с учетом анизотропии зонной структуры полупроводника // Оптика и спектроскопия. – 2023. – Т. 131, № 7. — С. 965-972

Creators	Кузнецова И. А.; Савенко О. В.
Imprint	2023
Collection	Общая коллекция
Subjects	Физика; Физическая оптика; Физика полупроводников и диэлектриков; электромагнитные Н-волны; наноструктуры; диэлектрики; полупроводники; структура полупроводников; зонная структура полупроводников; анизотропия полупроводников
UDC	535.2/3; 537.311.33
LBC	22.343; 22.379
Document type	Article, report
File type	Other
Language	Russian
DOI	10.21883/OS.2023.07.56132.4865-23
Rights	Доступ по паролю из сети Интернет (чтение)

https://elibrary.ru/item.asp?id=54500830

Влияние степени атомного упорядочения на сегнетоэлектрические свойства твердых растворов GaInP[2] // Оптика и спектроскопия. – 2024. – Т. 132, № 11. — С. 1127-1130 New arrival!

Creators	Власов А. С.; Аксенов В.; Анкудинов А. В.; Берт Н. А.; Калюжный Н. А.; Лебедев Д. В.; Салий Р. А.; Пирогов Е. В.; Минтаиров А. М.
Organization	"ФизикА.СПб/2024", международная конференция
Imprint	2024
Collection	Общая коллекция
Subjects	Физика; Физика полупроводников и диэлектриков; твердые растворы; сегнетоэлектрические свойства; атомное упорядочение; кельвин-зондовая микроскопия; пьезоэлектрические эффекты; рентгеновская дифракция; просвечивающая электронная микроскопия; фотолюминесценция; поверхностный потенциал
UDC	537.311.33
LBC	22.379
Document type	Article, report
File type	Other
Language	Russian
DOI	10.61011/OS.2024.11.59496.6501-24
Rights	Доступ по паролю из сети Интернет (чтение)

https://elibrary.ru/item.asp?id=80253278

Актуальные направления физики полупроводников и наноструктур, полупроводниковой опто- и наноэлектроники: (по материалам XVIII Всероссийской молодежной конференции) // Научно-технические ведомости Санкт-Петербургского государственного политехнического университета. Сер.: Физико-математические науки: научное издание. – 2017. – Т. 10, № 2

Creators	Гаврикова Татьяна Андреевна; Фирсов Дмитрий Анатольевич; Зыков Валерий Андреевич
Organization	Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого
Imprint	Санкт-Петербург: Изд-во Политехн. ун-та, 2017
Collection	Общая коллекция
Subjects	Физика; Физика полупроводников и диэлектриков; конференции; молодежные конференции; всероссийские конференции; полупроводники; наноструктуры; наноэлектроника; обзоры; conference; molodejnie conference; russian conference; semiconductors; nanostructures; nanoelectronics; reviews
UDC	537.311.33
LBC	22.379
Document type	Article, report
File type	Other
Language	Russian
DOI	10.18721/JPM.10212
Rights	Свободный доступ из сети Интернет (чтение, печать, копирование)

pdf, 1.6 Mb

Хаотический потенциал заряженных дислокаций в гетероконтактах III-нитридов при высоких температурах // Научно-технические ведомости Санкт-Петербургского государственного политехнического университета. Сер.: Физико-математические науки. – 2022. – Т. 15, № 2. — С. 17-25

Creators	Филимонов А. В.; Бондаренко В. Б.; Кумар Р.
Imprint	2022
Collection	Общая коллекция
Subjects	Физика; Физика полупроводников и диэлектриков; гетероконтакты; III-нитриды; заряженные дислокации; потенциал заряженных дислокаций; хаотический потенциал дислокаций; двумерные электронные газы; электронные газы; heterocontacts; III-nitrides; charged dislocations; potential of charged dislocations; chaotic dislocation potential; two-dimensional electronic gases; electronic gases
UDC	537.311.33
LBC	22.368
Document type	Article, report
File type	PDF
Language	Russian
DOI	10.18721/JPM.15202
Rights	Свободный доступ из сети Интернет (чтение, печать, копирование)

pdf, 0.9 Mb

The efficiency of solar energy conversion by the CdS/por-Si/p-Si heterostructure: the dopant effect // Научно-технические ведомости Санкт-Петербургского государственного политехнического университета. Сер.: Физико-математические науки. – 2020. – Т. 13, № 2. — С. 17-26

Creators	Tregulov V. V.
Imprint	2020
Collection	Общая коллекция
Subjects	Физика; Физика полупроводников и диэлектриков; heterostructures; solar power; solar energy conversion; alloying impurities; porous silicon; heterojunctions; photovoltaic converters; гетероструктуры; солнечная энергия; преобразование солнечной энергии; легирующие примеси; пористый кремний; гетеропереходы; фотовольтаические преобразователи
UDC	537.11.33
LBC	22.379
Document type	Article, report
File type	PDF
Language	English
DOI	10.18721/JPM.13202
Rights	Свободный доступ из сети Интернет (чтение, печать, копирование)

pdf, 270 Kb

Поэтапное моделирование механизма фазового перехода полупроводник - металл в диоксиде ванадия // Научно-технические ведомости Санкт-Петербургского государственного политехнического университета. Сер.: Физико-математические науки. – 2017. – Т. 10, № 3

Creators	Ильинский Александр Валентинович; Шадрин Евгений Борисович; Пашкевич Марина Эрнестовна
Organization	Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого; Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе РАН
Imprint	Санкт-Петербург: Изд-во Политехн. ун-та, 2017
Collection	Общая коллекция
Subjects	Физика полупроводников и диэлектриков; Физика; корреляционная энергия; распределение Мигдала; Мигдала распределение; переход Мотта; Мотта переход; поэтапное моделирование; полупроводники; диоксид ванадия; phase transitions; correlation energy; Migdal distribution; Mott transition; Pierls transition; phased modeling; фазовые переходы; vanadium dioxide; semiconductors
UDC	537.311.33
LBC	22.379
Document type	Article, report
File type	PDF
Language	Russian
DOI	10.18721/JPM.10301
Rights	Свободный доступ из сети Интернет (чтение, печать, копирование)

pdf, 0.7 Mb

Численное моделирование туннельного эффекта в гетероструктуре нитрида галлия на кремнии // Научно-технические ведомости Санкт-Петербургского государственного политехнического университета. Сер.: Физико-математические науки. – 2024. – Т. 17, № 3. — С. 46-56

Creators	Барыкин Д. А.; Шугуров К. Ю.; Можаров А. М.; Мухин И. С.
Imprint	2024
Collection	Общая коллекция
Subjects	Физика; Физика полупроводников и диэлектриков; полупроводники; гетероструктуры; нитрид галлия; кремний; туннельный эффект (физика); численное моделирование; туннельные диоды; semiconductors; heterostructures; gallium nitride; silicon; tunnel effect (physics); numerical simulation; tunnel diodes
UDC	537.311.33
LBC	22.379
Document type	Article, report
File type	PDF
Language	Russian
DOI	10.18721/JPM.17305
Rights	Свободный доступ из сети Интернет (чтение, печать, копирование)

pdf, 1.1 Mb