Electronic Documents Search

Documents found: 19

Электронные приборы. Транзисторы, тиристоры, приборы с зарядовой связью: учебное пособие

Creators	Гнучев Николай Михайлович
Organization	Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого
Imprint	Санкт-Петербург, 2024
Collection	Учебная и учебно-методическая литература; Общая коллекция
Subjects	Тиристоры; Электронные приборы с зарядовой связью; транзисторы; физические процессы; применение; учебники и пособия для вузов
UDC	621.382.2(075.8)
Document type	Tutorial
File type	PDF
Language	Russian
Speciality code (FGOS)	16.03.01
Speciality group (FGOS)	160000 - Физико-технические науки и технологии
DOI	10.18720/SPBPU/5/tr24-18
Rights	Доступ из локальной сети ИБК СПбПУ (чтение, печать, копирование)

pdf, 2.6 Mb

TCAD-моделирование транзистора со статической индукцией // Известия высших учебных заведений. Электроника. – 2024. – Т. 29, № 4. — С. 489-503

Creators	Максименко Ю. Н.; Петросянц К. О.; Силкин Д. С.; Грабежова В. К.
Imprint	2024
Collection	Общая коллекция
Subjects	Радиоэлектроника; Полупроводниковые приборы; транзисторы; моделирование транзисторов; TCAD-моделирование; статическая индукциия; физико-математические модели; сопротивление транзисторов; электрические характеристики; transistors; transistor simulation; TCAD simulation; static induction; physical-mathematical models; resistance of transistors; electrical characteristics
UDC	621.382
LBC	32.852
Document type	Article, report
File type	Other
Language	Russian
DOI	10.24151/1561-5405-2024-29-4-489-503
Rights	Доступ по паролю из сети Интернет (чтение)

https://elibrary.ru/item.asp?id=68621706

Моделирование транзистора с плавающим затвором на основе ван-дер-ваальсового гетероперехода графен/h-BN/MoS[2] // Известия высших учебных заведений. Электроника. – 2024. – Т. 29, № 4. — С. 478-488

Creators	Мефтахутдинов Р. М.
Imprint	2024
Collection	Общая коллекция
Subjects	Радиоэлектроника; Полупроводниковые приборы; транзисторы; моделирование транзисторов; транзисторы с плавающим затвором; ван-дер-ваальсовые гетеропереходы; графены; DFT-расчеты; мемристоры; transistors; simulation of transistors; floating gate transistors; van der Waals heterojunctions; graphenes; DFT calculations; memristors
UDC	621.382
LBC	32.852
Document type	Article, report
File type	Other
Language	Russian
DOI	10.24151/1561-5405-2024-29-4-478-488
Rights	Доступ по паролю из сети Интернет (чтение)

https://elibrary.ru/item.asp?id=68621705

Разработка устройства для получения высококачественного синусоидального переменного напряжения // Известия высших учебных заведений. Электроника. – 2024. – Т. 29, № 4. — С. 525-538

Creators	Маслаков М. П.; Лыков О. В.
Imprint	2024
Collection	Общая коллекция
Subjects	Радиоэлектроника; Полупроводниковые приборы; переменное напряжение; синусоидальное напряжение; высококачественное переменное напряжение; устройства для получения напряжения; микроконтроллеры; инверторы; транзисторы; alternating voltage; sinusoidal voltage; high-quality alternating voltage; voltage receiving devices; microcontrollers; inverters; transistors
UDC	621.382
LBC	32.852
Document type	Article, report
File type	Other
Language	Russian
DOI	10.24151/1561-5405-2024-29-4-525-538
Rights	Доступ по паролю из сети Интернет (чтение)

https://elibrary.ru/item.asp?id=68621709

Особенности TCAD- и SPICE-моделирования удара заряженной частицы в 6T-ячейку статической памяти, изготовленную по КМОП-технологии с проектными нормами 28 нм // Известия высших учебных заведений. Электроника: научно-технический журнал. – 2023. – Т. 28, № 6. — С. 826-837

Creators	Петросянц К. О.; Силкин Д. С.; Попов Д. А.; Исмаил-Заде М. Р.; Харитонов И. А.; Переверзев Л. Е.; Морозов А. А.; Тургенев П. В.
Imprint	2023
Collection	Общая коллекция
Subjects	Радиоэлектроника; Полупроводниковые приборы; заряженые частицы; удары заряженных частиц; SPICE-моделирование ударов; TCAD-моделирование ударов; ячейки статической памяти; КМОП-технологии; транзисторы; charged particles; charged particle impacts; SPICE-shock simulation; TCAD-shock simulation; static memory cells; CMOS technology; transistors
UDC	621.382
LBC	32.852
Document type	Article, report
File type	Other
Language	Russian
DOI	10.24151/1561-5405-2023-28-6-826-837
Rights	Доступ по паролю из сети Интернет (чтение)

https://elibrary.ru/item.asp?id=55172144

Двумерное моделирование эмиттерного p-n{+}-перехода кремниевого n-p-n-транзистора в прямоугольной и цилиндрической системах координат // Известия высших учебных заведений. Электроника: научно-технический журнал. – 2023. – Т. 28, № 5. — С. 621-628

Creators	Лагунович Н. Л.
Imprint	2023
Collection	Общая коллекция
Subjects	Радиоэлектроника; Полупроводниковые приборы; Вычислительная техника; Прикладные информационные (компьютерные) технологии в целом; транзисторы; кремниевые транзисторы; цилиндрическая система координат; прямоугольная система координат; эмиттерные переходы; двумерное моделирование; p-n-переходы; transistors; silicon transistors; cylindrical coordinate system; rectangular coordinate system; emitter junctions; two-dimensional modeling; p-n-transitions
UDC	621.382; 004.9
LBC	32.852; 32.973-018.2
Document type	Article, report
File type	Other
Language	Russian
DOI	10.24151/1561-5405-2023-28-5-621-628
Rights	Доступ по паролю из сети Интернет (чтение)

https://www.elibrary.ru/item.asp?id=54683303

Исследование морфологии и профиля травления сквозных отверстий в подложке карбида кремния в технологии мощных транзисторов на основе гетероструктур AlGaN/GaN/SiC: магистерская диссертация: 22.04.01

Creators	Каракчиев Сергей Валерьевич
Scientific adviser	Соловьев Юрий Владимирович
Organization	Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого. Институт металлургии, машиностроения и транспорта
Imprint	Санкт-Петербург, 2017
Collection	Выпускные квалификационные работы; Общая коллекция
Subjects	Кремний, карбиды; Травление металлов; Полупроводниковые приборы сверхвысокочастотные; транзисторы
UDC	621.794.4(043.3)
Document type	Master graduation qualification work
File type	PDF
Language	Russian
Level of education	Master
Speciality code (FGOS)	22.04.01
Speciality group (FGOS)	220000 - Технологии материалов
DOI	10.18720/SPBPU/2/v17-3424
Rights	Доступ по паролю из сети Интернет (чтение, печать, копирование)

pdf, 3.4 Mb

Разработка технологии изменения профиля маски фоторезистивных слоев для создания омических контактов СВЧ-транзисторов на основе эпитаксиальных гетероструктур AlGaAs/GaAs: магистерская диссертация: 22.04.01

Creators	Юдакова Анна Александровна
Scientific adviser	Соловьев Юрий Владимирович
Organization	Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого. Институт металлургии, машиностроения и транспорта
Imprint	Санкт-Петербург, 2017
Collection	Выпускные квалификационные работы; Общая коллекция
Subjects	Полупроводниковые приборы сверхвысокочастотные; Фотолитография; маски фоторезистивных слоев; транзисторы
UDC	621.383.4(043.3); 776(043.3)
Document type	Master graduation qualification work
File type	PDF
Language	Russian
Level of education	Master
Speciality code (FGOS)	22.04.01
Speciality group (FGOS)	220000 - Технологии материалов
DOI	10.18720/SPBPU/2/v17-3427
Rights	Доступ по паролю из сети Интернет (чтение, печать, копирование)

pdf, 1.8 Mb

Моделирование автогенераторов в системах автоматизированного проектирования // Научно-технические ведомости Санкт-Петербургского государственного политехнического университета. Сер.: Информатика. Телекоммуникации. Управление: научное издание. – 2016. – № 1 (236)

Creators	Малышев Виктор Михайлович; Никитин Александр Борисович
Organization	Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого; Министерство образования и науки Российской Федерации
Imprint	Санкт-Петербург: Изд-во Политехн. ун-та, 2016
Collection	Общая коллекция
Subjects	Радиоэлектроника; Импульсные устройства; сверхвысокочастотные устройства; СВЧ; СВЧ-устройства; автогенераторы; автоматизированное проектирование; генераторы; транзисторы; СВЧ-генераторы; генераторные зонды
UDC	621.373/.374
LBC	32.847
Document type	Article, report
File type	PDF
Language	Russian
DOI	10.5862/JCSTCS.236.2
Rights	Свободный доступ из сети Интернет (чтение, печать, копирование)

pdf, 326 Kb