Electronic Documents Search

Documents found: 23

A method for minimizing aging influence on rail-to-rail operational amplifier with thin oxide transistors // Известия высших учебных заведений. Электроника: научно-технический журнал. – 2023. – Т. 28, № 3. — С. 351-359

Creators	Melikyan V. Sh.; Ghukasyan S. A.; Harutyunyan S. S.; Voskanyan G. A.; Asatryan N. A.
Imprint	2023
Collection	Общая коллекция
Subjects	Энергетика; Детали и узлы электрических аппаратов; Радиоэлектроника; Полупроводниковые приборы; operational amplifiers (radioelectronics); transistors; oxide transistors; transistor aging; semiconductors; rail-to-rail design method; операционные усилители (радиоэлектроника); транзисторы; оксидные транзисторы; тонкие оксидные транзисторы; старение транзисторов; полупроводники; метод проектирования rail-to-rail
UDC	621.3; 621.382
LBC	31.264-04; 32.852
Document type	Article, report
File type	Other
Language	English
DOI	10.24151/1561-5405-2023-28-3-351-359
Rights	Доступ по паролю из сети Интернет (чтение)

https://www.elibrary.ru/item.asp?id=54011395

Introductory MEMS : fabrication and applications

Creators	Adams Thomas M.; Layton Richard A.
Imprint	Boston, MA: Springer, 2010
Collection	Электронные книги зарубежных издательств; Общая коллекция
Subjects	Микроэлектронные схемы интегральные — Производство; Датчики; Полупроводники; sensors; integrated circuit; mechanics; semiconductors; microelectromechanical system (MEMS)
UDC	621.382.049.77; 681.586; 537.311.322
Document type	Other
File type	Other
Language	English
Rights	Доступ из локальной сети ФБ СПбПУ (чтение, печать, копирование)

https://link.springer.com/book/10.1007/978-0-387-09511-0

Исследование накопления радиационных дефектов в кремнии при облучении ионами PFn+: бакалаврская работа: 210100

Creators	Шевцов Михаил Андреевич
Scientific adviser	Титов Андрей Иванович
Organization	Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого. Институт физики, нанотехнологий и телекоммуникаций
Imprint	Санкт-Петербург, 2016
Collection	Выпускные квалификационные работы; Общая коллекция
Subjects	ионная имплантация; инженерия дефектов; RBS/C анализ; радиационные дефекты; полупроводники; структурные нарушения в кремнии; ion implantation; defect engineering; RBS/C analysis; radiation defrcts; semiconductors; structural changes in silicon
Document type	Bachelor graduation qualification work
File type	PDF
Language	Russian
Level of education	Bachelor
Speciality code (OKSO)	210100
Speciality group (OKSO)	210000 - Электронная техника, радиотехника и связь
DOI	10.18720/SPBPU/2/v16-2769
Rights	Доступ по паролю из сети Интернет (чтение, печать, копирование)

pdf, 1.1 Mb

Оптическая диагностика плёнок оксида индия, легированного оловом: выпускная квалификационная работа бакалавра: направление 16.03.01 «Техническая физика» ; образовательная программа 16.03.01_11 «Физика полупроводников и наноэлектроника»

Creators	Костромин Никита Андреевич
Scientific adviser	Шалыгин Вадим Александрович
Organization	Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого. Институт электроники и телекоммуникаций
Imprint	Санкт-Петербург, 2022
Collection	Выпускные квалификационные работы; Общая коллекция
Subjects	неразрушающий контроль; полупроводники; плёнки оксида индия; легирование оловом; модель Друде; non-destructive testing; semiconductors; indium oxide films; tin doping; Drude model
Document type	Bachelor graduation qualification work
File type	PDF
Language	Russian
Level of education	Bachelor
Speciality code (FGOS)	16.03.01
Speciality group (FGOS)	160000 - Физико-технические науки и технологии
DOI	10.18720/SPBPU/3/2022/vr/vr22-1846
Rights	Доступ по паролю из сети Интернет (чтение)

pdf, 0.6 Mb

Поэтапное моделирование механизма фазового перехода полупроводник - металл в диоксиде ванадия // Научно-технические ведомости Санкт-Петербургского государственного политехнического университета. Сер.: Физико-математические науки. – 2017. – Т. 10, № 3

Creators	Ильинский Александр Валентинович; Шадрин Евгений Борисович; Пашкевич Марина Эрнестовна
Organization	Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого; Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе РАН
Imprint	Санкт-Петербург: Изд-во Политехн. ун-та, 2017
Collection	Общая коллекция
Subjects	Физика полупроводников и диэлектриков; Физика; корреляционная энергия; распределение Мигдала; Мигдала распределение; переход Мотта; Мотта переход; поэтапное моделирование; полупроводники; диоксид ванадия; phase transitions; correlation energy; Migdal distribution; Mott transition; Pierls transition; phased modeling; фазовые переходы; vanadium dioxide; semiconductors
UDC	537.311.33
LBC	22.379
Document type	Article, report
File type	PDF
Language	Russian
DOI	10.18721/JPM.10301
Rights	Свободный доступ из сети Интернет (чтение, печать, копирование)

pdf, 0.7 Mb

Численное моделирование туннельного эффекта в гетероструктуре нитрида галлия на кремнии // Научно-технические ведомости Санкт-Петербургского государственного политехнического университета. Сер.: Физико-математические науки. – 2024. – Т. 17, № 3. — С. 46-56

Creators	Барыкин Д. А.; Шугуров К. Ю.; Можаров А. М.; Мухин И. С.
Imprint	2024
Collection	Общая коллекция
Subjects	Физика; Физика полупроводников и диэлектриков; полупроводники; гетероструктуры; нитрид галлия; кремний; туннельный эффект (физика); численное моделирование; туннельные диоды; semiconductors; heterostructures; gallium nitride; silicon; tunnel effect (physics); numerical simulation; tunnel diodes
UDC	537.311.33
LBC	22.379
Document type	Article, report
File type	PDF
Language	Russian
DOI	10.18721/JPM.17305
Rights	Свободный доступ из сети Интернет (чтение, печать, копирование)

pdf, 1.1 Mb

Влияние режима формирования покровного слоя на фотолюминесценцию квантовых точек арсенида индия InAs в кремнии // Оптический журнал. – 2025. – № 4. — С. 14-21

Creators	Лендяшова В. В.; Илькив И. В.; Талалаев В. Г.; Шугабаев Т.; Резник Р. Р.; Цырлин Г. Э.
Imprint	2025
Collection	Общая коллекция
Subjects	Энергетика; Полупроводниковые материалы и изделия; арсенид индия; квантовые точки; фотолюминесценция; молекулярно-пучковая эпитаксия; полупроводники; кремний; гетероструктуры; люминесцентные характеристики; india arsenide; quantum dots; photoluminescence; molecular beam epitaxy; semiconductors; silicon; heterostructures; luminescent characteristics
UDC	621.315.592
LBC	31.233
Document type	Article, report
File type	Other
Language	Russian
DOI	10.17586/1023-5086-2025-92-04-14-21
Rights	Доступ по паролю из сети Интернет (чтение)

https://eivis.ru/browse/issue/15689182/viewer?udb=12&page=16

Оптические свойства квантовых точек InGaP(As) в гетероструктурах GaAs/AlGaAs/InGaP/InGaAs // Оптический журнал: научно-технический журнал. – 2024. – № 6. — С. 30-38

Creators	Андрюшкин В. В.; Новиков И. И.; Гладышев А. Г.; Бабичев А. В.; Неведомский В. Н.; Папылев Д. С.; Колодезный Е. С.; Карачинский Л. Я.; Егоров А. Ю.
Imprint	2024
Collection	Общая коллекция
Subjects	Энергетика; Полупроводниковые материалы и изделия; квантовые точки; полупроводниковые квантовые точки; оптические свойства; гетероструктуры; фотолюминесценция; молекулярно-пучковая эпитаксия; полупроводники; quantum dots; semiconductor quantum dots; optical properties; heterostructures; photoluminescence; molecular beam epitaxy; semiconductors
UDC	621.315.592
LBC	31.233
Document type	Article, report
File type	Other
Language	Russian
DOI	10.17586/1023-5086-2024-91-06-30-38
Rights	Доступ по паролю из сети Интернет (чтение)

https://eivis.ru/browse/issue/13873662/viewer?udb=12&page=32

Оптические исследования гетероструктур GaN/AlGaN в терагерцовом диапазоне частот: бакалаврская работа: 16.03.01

Creators	Галимов Айдар Ильшатович
Scientific adviser	Шалыгин Вадим Александрович
Organization	Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого. Институт физики, нанотехнологий и телекоммуникаций
Imprint	Санкт-Петербург, 2016
Collection	Выпускные квалификационные работы; Общая коллекция
Subjects	эмиссия излучения; терагерцовый диапазон; полупроводники; оптические свойства; 2D-плазмоны; 2D-электроны; гетерострукуры; radiation emission; the terahertz range; semiconductors; optical properties; 2D-plasmons; 2D-electrons; heterostructure
Document type	Bachelor graduation qualification work
File type	PDF
Language	Russian
Level of education	Bachelor
Speciality code (FGOS)	16.03.01
Speciality group (FGOS)	160000 - Физико-технические науки и технологии
DOI	10.18720/SPBPU/2/v16-352
Rights	Доступ по паролю из сети Интернет (чтение, печать, копирование)

pdf, 2.7 Mb

Contribution of internal ionization processes in semiconductors to radiative losses of relativistic electrons // Научно-технические ведомости Санкт-Петербургского государственного политехнического университета. Сер.: Физико-математические науки. – 2020. – Т. 13, № 3. — С. 7-14

Creators	Vasiliev A. E.; Kozlovski V. V.; Kolgatin S. N.
Imprint	2020
Collection	Общая коллекция
Subjects	Радиоэлектроника; Полупроводниковые приборы; semiconductors; ionization of semiconductors; internal ionization of semiconductors; braking energy loss; relativistic electrons; electron accelerators; electron-hole pairs; полупроводники; ионизация полупроводников; внутренняя ионизация полупроводников; тормозные потери энергии; релятивистские электроны; ускорители электронов; электронно-дырочные пары
UDC	621.382
LBC	32.852
Document type	Article, report
File type	PDF
Language	English
DOI	10.18721/JPM.13301
Rights	Свободный доступ из сети Интернет (чтение, печать, копирование)

pdf, 322 Kb