Details

Title: Плазмохимическое травление нитрида и оксида кремния ВЧЕ разрядом в смеси SF₆/H₂ и SF₆/D₂: выпускная квалификационная работа магистра: направление 03.04.02 «Физика» ; образовательная программа 03.04.02_10 «Физика космических и плазменных процессов»
Creators: Куликов Михаил Игоревич
Scientific adviser: Смирнов Александр Сергеевич
Other creators: Веселова Ирина Юрьевна; Барсуков Юрий Владимирович
Organization: Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого. Институт физики, нанотехнологий и телекоммуникаций
Imprint: Санкт-Петербург, 2021
Collection: Выпускные квалификационные работы; Общая коллекция
Subjects: Пленки тонкие; Кремний, нитриды; высокочастотный емкостной разряд; плазмохимическое травление; оптическая спектроскопия; нитрид кремния; оксид кремния
UDC: 621.794.4:539.216.2
Document type: Master graduation qualification work
File type: PDF
Language: Russian
Speciality code (FGOS): 03.04.02
Speciality group (FGOS): 030000 - Физика и астрономия
Links: Отзыв руководителя; Рецензия; Отчет о проверке на объем и корректность внешних заимствований
DOI: 10.18720/SPBPU/3/2021/vr/vr21-3573
Rights: Доступ по паролю из сети Интернет (чтение, печать, копирование)

Allowed Actions:

Action 'Read' will be available if you login or access site from another network Action 'Download' will be available if you login or access site from another network

Group: Anonymous

Network: Internet

Annotation

Данная работа посвящена экспериментальному исследованию высокочастотного емкостного (ВЧЕ) разряда, предназначенного для травления тонких пленок нитрида кремния и оксида кремния. Задачи, которые решались в ходе исследования: 1. Проведение экспериментов с целью получения зависимость скорости травления Si3N4 и SiO2 от натекания H2 и D2 в камеру 2. Актинометрическое измерение концентрации атомарного фтора в камере разряда 3. Актинометрическое измерение концентрации серы в камере разряда 4. Получение спектров, наблюдаемых в наших экспериментов, разрядов Экспериментально было показано, что скорость травления нитрида кремния в разряде немонотонно зависит от потока H2 (при небольшой добавке H2 наблюдался пик в скорости травлении) и монотонно снижается при увеличении потока D2. При этом, существенных различий в травлении оксида кремния разрядами SF6/H2 и SF6/D2 обнаружено не было. Данная работа косвенно подтверждает гипотезу о роли колебательно возбужденных молекул фтороводорода в тралении нитрида кремния.

This work is devoted to the experimental study of a high-frequency capacitive (RFC) discharge intended for etching thin films of silicon nitride and silicon oxide. Tasks that were solved in the course of the study: 1. Carrying out experiments in order to obtain the dependence of the etching rate of Si3N4 and SiO2 on the leakage of H2 and D2 into the chamber 2. Actinometric measurement of the concentration of atomic fluorine in the discharge chamber 3. Actinometric measurement of sulfur concentration in the discharge chamber 4. Obtaining the spectra observed in our experiments, discharges It was experimentally shown that the etching rate of silicon nitride in the discharge nonmonotonically depends on the H2 flux (with a small addition of H2, a peak in the etching rate was observed) and decreases monotonically with increasing flux D2. At the same time, no significant differences were found in the etching of silicon oxide by SF6/H2 and SF6/D2 discharges. This work indirectly confirms the hypothesis about the role of vibrationally excited hydrogen fluoride molecules in the trawling of silicon nitride.

Document access rights

Network User group Action
ILC SPbPU Local Network All Read Print Download
Internet Authorized users SPbPU Read Print Download
Internet Authorized users (not from SPbPU)
-> Internet Anonymous

Usage statistics

stat Access count: 1
Last 30 days: 0
Detailed usage statistics