Данная работа посвящена экспериментальному исследованию высокочастотного емкостного (ВЧЕ) разряда, предназначенного для травления тонких пленок нитрида кремния и оксида кремния. Задачи, которые решались в ходе исследования: 1. Проведение экспериментов с целью получения зависимость скорости травления Si3N4 и SiO2 от натекания H2 и D2 в камеру 2. Актинометрическое измерение концентрации атомарного фтора в камере разряда 3. Актинометрическое измерение концентрации серы в камере разряда 4. Получение спектров, наблюдаемых в наших экспериментов, разрядов Экспериментально было показано, что скорость травления нитрида кремния в разряде немонотонно зависит от потока H2 (при небольшой добавке H2 наблюдался пик в скорости травлении) и монотонно снижается при увеличении потока D2. При этом, существенных различий в травлении оксида кремния разрядами SF6/H2 и SF6/D2 обнаружено не было. Данная работа косвенно подтверждает гипотезу о роли колебательно возбужденных молекул фтороводорода в тралении нитрида кремния.

This work is devoted to the experimental study of a high-frequency capacitive (RFC) discharge intended for etching thin films of silicon nitride and silicon oxide. Tasks that were solved in the course of the study: 1. Carrying out experiments in order to obtain the dependence of the etching rate of Si3N4 and SiO2 on the leakage of H2 and D2 into the chamber 2. Actinometric measurement of the concentration of atomic fluorine in the discharge chamber 3. Actinometric measurement of sulfur concentration in the discharge chamber 4. Obtaining the spectra observed in our experiments, discharges It was experimentally shown that the etching rate of silicon nitride in the discharge nonmonotonically depends on the H2 flux (with a small addition of H2, a peak in the etching rate was observed) and decreases monotonically with increasing flux D2. At the same time, no significant differences were found in the etching of silicon oxide by SF6/H2 and SF6/D2 discharges. This work indirectly confirms the hypothesis about the role of vibrationally excited hydrogen fluoride molecules in the trawling of silicon nitride.