Login
Search manual

Last Arrivals

Documents found: 106 614

№ Description Arrival Date
2331
Нестеров, Сергей Александрович. — Основы теории управления: учебное пособие / С. А. Нестеров; Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого, Институт компьютерных наук и кибербезопасности, Высшая школа компьютерных технологий и информационных систем. — Санкт-Петербург, 2024. — 1 файл (2,2 Мб). — Загл. с титул. экрана. — Свободный доступ из сети Интернет (чтение, печать, копирование). — <URL:https://elib.spbstu.ru/dl/5/tr/2024/tr24-149.pdf>. — DOI 10.18720/SPBPU/5/tr24-149. — Текст: электронный
10/28/2024
2332
Рост и характеризация nBn-структур на основе СdхHg[1-х]Te для фотоприёмников спектрального диапазона 3-5 мкм = Growth and characterization of nBn structures based on CdxHg[1-x]Te for photodetectors in the 3-5 mum spectral range / Н. Н. Михайлов, В. С. Варавин, С. А. Дворецкий [и др.]. — 1 файл. — (Физика полупроводников и элементы оптоэлектроники). — DOI 10.17586/1023-5086-2024-91-02-76-87. — Текст: электронный // Оптический журнал = Journal of optical technology: научно-технический журнал / Государственный оптический институт им. С. И. Вавилова, Санкт-Петербургский национальный исследовательский университет информационных технологий, механики и оптики. – 2024. – № 2. — С. 76-87. — Загл. с титул. экрана. — Статья, представленная на 8-ой Российской конференции и школе молодых учёных "Фотоника-2023". — Доступ по паролю из сети Интернет (чтение). — <URL:https://eivis.ru/browse/issue/13195682/viewer?udb=12&page=79>.
10/28/2024
2333
Влияние охранных сеточных диодов с плавающим потенциалом n-области на пространственное разрешение n-на-p линейных HgCdTe-фотоприёмников = The influence of grid guard diodes with a floating n-region potential on the spatial resolution of n-on-p linear HgCdTe photodetectors / В. В. Васильев, А. В. Вишняков, И. В. Сабинина [и др.]. — 1 файл. — (Физика полупроводников и элементы оптоэлектроники). — DOI 10.17586/1023-5086-2024-91-02-67-75. — Текст: электронный // Оптический журнал = Journal of optical technology: научно-технический журнал / Государственный оптический институт им. С. И. Вавилова, Санкт-Петербургский национальный исследовательский университет информационных технологий, механики и оптики. – 2024. – № 2. — С. 67-75. — Загл. с титул. экрана. — Статья, представленная на 8-ой Российской конференции и школе молодых учёных "Фотоника-2023". — Доступ по паролю из сети Интернет (чтение). — <URL:https://eivis.ru/browse/issue/13195682/viewer?udb=12&page=70>.
10/28/2024
2334
Завражных, Наталья Александровна. — Получение и исследование свойств материалов на основе поли(L-лактида) и поли(ε-капролактона) для биомедицинского применения: научный доклад: направление подготовки 03.06.01 «Физика и астрономия» ; направленность 03.06.01_12 «Биофизика» = Production and study of the properties of materials based on poly(L-lactide) and poly(ε-caprolactone) for biomedical applications / Н. А. Завражных; Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого, Институт биомедицинских систем и биотехнологий; научный руководитель В. Е. Юдин. — Санкт-Петербург, 2024. — 1 файл (2,7 Мб). — Загл. с титул. экрана. — Текст не доступен в соответствии с распоряжением СПбПУ от 11.04.2018 № 141. — Adobe Acrobat Reader 7.0. — Текст: электронный
10/25/2024
2335
Стучинский, В. А. — Частотно-контрастная характеристика и эффективная длина диффузии фотогенерированных носителей заряда в фотоприёмных матрицах на основе материала кадмий-ртуть-теллур с разными значениями геометрических параметров = Modulation transfer function and effective diffusion length of photogenerated charge carriers in mercury-cadmium-telluride focal-plane diode arrays with different values of geometric parameters / В. А. Стучинский, А. В. Вишняков, В. В. Васильев. — 1 файл. — (Физика полупроводников и элементы оптоэлектроники). — DOI 10.17586/1023-5086-2024-91-02-59-66. — Текст: электронный // Оптический журнал = Journal of optical technology: научно-технический журнал / Государственный оптический институт им. С. И. Вавилова, Санкт-Петербургский национальный исследовательский университет информационных технологий, механики и оптики. – 2024. – № 2. — С. 59-66. — Загл. с титул. экрана. — Статья, представленная на 8-ой Российской конференции и школе молодых учёных "Фотоника-2023". — Доступ по паролю из сети Интернет (чтение). — <URL:https://eivis.ru/browse/issue/13195682/viewer?udb=12&page=62>.
10/25/2024
2336
Анализ морфологии поверхности буферных слоёв CdTe с помощью эллипсометрии и интерференционной профилометрии для создания методики контроля роста буферных слоёв = Surface morphology analysis of CdTe buffer layers using ellipsometry and interference profilometry to create a technique for monitoring the growth of buffer layers / В. А. Швец, Д. В. Марин, Л. С. Кузнецова [и др.]. — 1 файл. — (Физика полупроводников и элементы оптоэлектроники). — DOI 10.17586/1023-5086-2024-91-02-50-58. — Текст: электронный // Оптический журнал = Journal of optical technology: научно-технический журнал / Государственный оптический институт им. С. И. Вавилова, Санкт-Петербургский национальный исследовательский университет информационных технологий, механики и оптики. – 2024. – № 2. — С. 50-58. — Загл. с титул. экрана. — Статья, представленная на 8-ой Российской конференции и школе молодых учёных "Фотоника-2023". — Доступ по паролю из сети Интернет (чтение). — <URL:https://eivis.ru/browse/issue/13195682/viewer?udb=12&page=53>.
10/25/2024
2337
Легирование Zn эпитаксиальных слоёв InAlAs и InP из планарного источника Zn[3]P[2] = Zn doping of InAlAs and InP epitaxial layers from a planar Zn[3]P[2] source / М. О. Петрушков, М. С. Аксенов, Д. Б. Богомолов [и др.]. — 1 файл. — (Физика полупроводников и элементы оптоэлектроники). — DOI 10.17586/1023-5086-2024-91-02-40-49. — Текст: электронный // Оптический журнал = Journal of optical technology: научно-технический журнал / Государственный оптический институт им. С. И. Вавилова, Санкт-Петербургский национальный исследовательский университет информационных технологий, механики и оптики. – 2024. – № 2. — С. 40-49. — Загл. с титул. экрана. — Статья, представленная на 8-ой Российской конференции и школе молодых учёных "Фотоника-2023". — Доступ по паролю из сети Интернет (чтение). — <URL:https://eivis.ru/browse/issue/13195682/viewer?udb=12&page=43>.
10/25/2024
2338
Влияние условий формирования и отжига на параметры Pt/InAlAs барьеров Шоттки = Influence of formation conditions and annealing on the parameters of Pt/InAlAs Schottky barriers / И. Ю. Гензе, М. С. Аксенов, М. А. Парамонова [и др.]. — 1 файл. — (Физика полупроводников и элементы оптоэлектроники). — DOI 10.17586/1023-5086-2024-91-02-34-39. — Текст: электронный // Оптический журнал = Journal of optical technology: научно-технический журнал / Государственный оптический институт им. С. И. Вавилова, Санкт-Петербургский национальный исследовательский университет информационных технологий, механики и оптики. – 2024. – № 2. — С. 34-39. — Загл. с титул. экрана. — Статья, представленная на 8-ой Российской конференции и школе молодых учёных "Фотоника-2023". — Доступ по паролю из сети Интернет (чтение). — <URL:https://eivis.ru/browse/issue/13195682/viewer?udb=12&page=37>.
10/25/2024
2339
Оптические свойства и разупорядочение плёнок HgCdTe, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии = Optical properties and disorder of HgCdTe films grown by molecular beam epitax / М. С. Ружевич, К. Д. Мынбаев, Н. Л. Баженов [и др.]. — 1 файл. — (Физика полупроводников и элементы оптоэлектроники). — DOI 10.17586/1023-5086-2024-91-02-23-33. — Текст: электронный // Оптический журнал = Journal of optical technology: научно-технический журнал / Государственный оптический институт им. С. И. Вавилова, Санкт-Петербургский национальный исследовательский университет информационных технологий, механики и оптики. – 2024. – № 2. — С. 23-33. — Загл. с титул. экрана. — Статья, представленная на 8-ой Российской конференции и школе молодых учёных "Фотоника-2023". — Доступ по паролю из сети Интернет (чтение). — <URL:https://eivis.ru/browse/issue/13195682/viewer?udb=12&page=26>.
10/25/2024
2340
Униполярные барьерные структуры на основе n-HgCdTe со сверхрешётками в качестве барьера: обзор = Unipolar barrier structures based on n-HgCdTe with superlattices as a barrier / А. В. Войцеховский, С. М. Дзядух, Д. И. Горн [и др.]. — 1 файл. — (Физика полупроводников и элементы оптоэлектроники). — DOI 10.17586/1023-5086-2024-91-02-6-22. — Текст: электронный // Оптический журнал = Journal of optical technology: научно-технический журнал / Государственный оптический институт им. С. И. Вавилова, Санкт-Петербургский национальный исследовательский университет информационных технологий, механики и оптики. – 2024. – № 2. — С. 6-22. — Загл. с титул. экрана. — Статья, представленная на 8-ой Российской конференции и школе молодых учёных "Фотоника-2023". — Доступ по паролю из сети Интернет (чтение). — <URL:https://eivis.ru/browse/issue/13195682/viewer?udb=12&page=9>.
10/25/2024